[发明专利]用于自动检测接收器掉电的发射器和包括该发射器的系统有效

专利信息
申请号: 201010614972.1 申请日: 2010-12-30
公开(公告)号: CN102148951A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 金好影 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N5/765 分类号: H04N5/765
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 用于 自动检测 接收器 掉电 发射器 包括 系统
【权利要求书】:

1.一种最小化跳变差分信令TMDS系统的发射器,所述发射器包括:

电流源;

一对开关,被配置成连接到所述电流源并且切换所述电流源的电流;以及

监视单元,被配置成监视所述电流源和所述一对开关之间的连接节点的电势,

其中所述一对开关分别通过第一线和第二线与TMDS系统的接收器连接,并且所述监视单元基于施加到所述接收器的电源电压和经过所述一对开关的各自的电流,监视所述连接节点的电势。

2.根据权利要求1所述的发射器,还包括位于所述连接节点和所述监视单元之间的缓冲器,所述缓冲器适用于缓冲并且向所述监视单元输出所述连接节点的电势。

3.根据权利要求1所述的发射器,还包括电流镜,所述电流镜包括第一分支和第二分支,所述第一分支包括第一晶体管和第二晶体管,所述第二分支包括第三晶体管和第四晶体管,

其中所述电流镜位于所述连接节点和所述监视单元之间,并且适用于基于输入到所述第一晶体管的栅极的所述连接节点的电势,向所述监视单元输出在所述第三晶体管的漏极处出现的电势。

4.根据权利要求3所述的发射器,其中所述第一晶体管和所述第三晶体管是n型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET并且所述第二晶体管和所述第四晶体管是p型MOSFET。

5.根据权利要求1所述的发射器,其中当所述一对开关中的一个开关闭合时,另一个断开。

6.根据权利要求1所述的发射器,其中在最小化跳变差分信令(TMDS)系统中采用所述发射器。

7.根据权利要求6所述的发射器,其中通过电源电压和接地电压使所述TMDS系统上电。

8.一种最小化跳变差分信令TMDS系统,包括:

如权利要求1所述的发射器,以及

接收器,包括在电源电压和所述第一线和所述第二线的其中之一之间连接的至少一个上拉电阻器。

9.根据权利要求8所述的TMDS系统,其中所述接收器与所述第一线和所述第二线连接,并且还包括被配置成比较所述第一线的电势和所述第二线的电势的比较器。

10.一种视听AV系统,包括如权利要求8所述的TMDS系统。

11.根据权利要求8所述的TMDS系统,其中当所述连接节点的电势由VA表示,并且VA=Vcc-I×RT-I×RON,SW,其中Vcc是所述电源电压,“I”是所述电流源的电流,RT是所述至少一个上拉电阻器的上拉电阻值,并且RON,SW是当所述一对开关导通时的电阻值。

12.一种从TMDS发射器向TMDS接收器传送最小化跳变差分信令TDMS信号的方法,所述方法包括:

感测从所述TMDS接收器接收的热插拔检测HPD信号,

当感测到所述HPD信号时,监视通过开关和信号线连接到所述TMDS接收器的连接节点的电势;以及

当检测到特定的电势时,向所述TMDS接收器传送所述TMDS信号。

13.根据权利要求12所述的方法,还包括在感测所述HPD信号的操作前确定是否接收到复位信号。

14.根据权利要求13所述的方法,其中感测HPD信号的步骤包括:当确定没有接收到所述复位信号时,感测所述HPD信号。

15.根据权利要求13所述的方法,其中监视连接节点的电势的步骤包括:监视当被连接到所述连接节点的缓冲器缓冲之后的电势。

16.根据权利要求13所述的方法,其中监视连接节点的电势的步骤包括:通过连接到所述连接节点的电流镜,监视所述连接节点的电势。

17.根据权利要求16所述的方法,其中所述电流镜包括至少一个n型金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和至少一个p型MOSFET。

18.根据权利要求12所述的方法,还包括:基于所述接收器的存储器存储的信息,确定所述接收器是否具有HDMI功能。

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