[发明专利]电流源电路以及使用该电流源电路的延迟电路及振荡电路

权利要求书

1.一种电流源电路，其特征在于，

具有：

由两个增强型MOS晶体管构成的电流镜电路；

与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管的漏极连接的、作为恒流源而工作的耗尽型MOS晶体管；以及

与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管的源极连接的、具有负的温度特性的电阻。

2.根据权利要求1所述的电流源电路，其特征在于，

所述电阻通过多晶硅形成。

3.根据权利要求2所述的电流源电路，其特征在于，

所述电流源电路还具有：调整电路，该调整电路由与所述增强型MOS晶体管串联或者并联连接的多个MOS晶体管或与所述具有负的温度特性的电阻串联或并联连接的电阻、以及与该多个MOS晶体管或该电阻连接的多个熔丝构成。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的电流源电路，其特征在于，

所述两个增强型MOS晶体管是P沟道型，将所述电阻插入连接在电源供给线和所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管的源极之间，

所述耗尽型MOS晶体管是N沟道型，漏极与所述电流镜电路的输入侧的所述增强型MOS晶体管的漏极连接，源极接地，

从所述电流镜电路的输出侧的所述增强型MOS晶体管的漏极输出电流。

5.一种电流源电路，其特征在于，

具有：

权利要求4所述的电流源电路；

在该电流源电路的输出侧的增强型MOS晶体管的源极和电源供给线之间插入连接的、具有正的温度系数的第二电阻；

设置在该电流源电路的后级、由两个P沟道MOS晶体管构成的第二电流镜电路；以及

在所述电流源电路的输出和该第二电流镜电路的输入侧的所述P沟道MOS晶体管的漏极之间连接的恒流电路，

该恒流电路，具有：

与所述电流源电路的电流镜电路的输出侧的增强型MOS晶体管的漏极连接的第三电阻；

在所述第二电流镜电路的输入侧的所述P沟道MOS晶体管的漏极经由驱动所述第二电流镜电路的驱动晶体管连接的、由与所述第三电阻相同种类的材料构成的、决定所述第二电流镜电路的输入电流的第四电阻；以及

在所述电流源电路的电流镜电路的输出侧的增强型MOS晶体管的漏极和所述驱动晶体管的栅极之间插入的运算放大器，

在所述运算放大器的同相输入端子上连接所述增强型MOS晶体管的漏极，在输出端子上连接所述驱动晶体管的输入电极，在反相输入端子上连接所述驱动晶体管的源极。

6.一种延迟电路，其特征在于，

具有：

权利要求1至5中任意一项所述的电流源电路；

通过所述电流源电路的输出电流被充电的电容器；以及

将所述电容器的充电电压与预定的阈值进行比较，输出比较结果的比较器，

从所述电容器的充电开始到所述比较结果的输出为止延迟预定时间。

7.一种振荡电路，其特征在于，

具有：

权利要求1至5中任意一项所述的电流源电路；

通过所述电流源电路的输出电流被充电的电容器；

对所述电容器进行放电的第一开关；

将所述电容器的充电电压与第一阈值或第二阈值进行比较，输出比较结果的比较器；以及

切换地生成向所述比较器供给的所述第一阈值和所述第二阈值的第二开关，

根据所述比较器的比较结果切换所述第一开关以及所述第二开关。

8.一种振荡电路，其特征在于，

具有：

权利要求1至5中任意一项所述的电流源电路；

连接成环形、从所述电流源电路被提供工作电流的多个反相器以及输出用反相器；以及

在所述多个反相器的输出端子和预定电位间连接的多个电容器。

9.一种振荡电路，其特征在于，

具有：

权利要求1至5中任意一项所述的电流源电路；

通过所述电流源电路的输出被充电的电容器；

将所述电容器的电压与预定的基准电压进行比较的比较器；以及

根据所述比较器的比较结果，使所述电容器中充电的电荷放电的开关元件。