[发明专利]基板处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种在腔室内产生等离子体来执行基板表面处理工序的基板处理装置。

背景技术

在像大规模集成电路、平板显示器这样的电子器件的制造过程中，要执行对基板的真空处理工序。

这样的真空处理工序是指：导入气体到腔室内，通过高电压放电来形成等离子体，通过该等离子体的加速力以物理方式溅射基板表面上的物质的方法；和通过等离子体的活性种以化学方式分解基板表面上的物质的方法。

利用等离子体的基板处理装置，按照产生等离子体的方法被区分为电容耦合型(Capacitively Coupled Plasma：CCP)和电感耦合型(InductivelyCopuled Plasma：ICP)。

CCP方式是对相互对置的平行平板电极施加RF电力，利用在两电极之间垂直地形成的RF电场来产生等离子的方式，ICP方式是利用由RF天线感应产生的感应电场将原料物质转换为等离子体的方式。

利用ICP方式的基板处理装置的结构是，通常在腔室的内部下侧具备搭载基板的下部电极，在腔室或者与该腔室接合的导引架的上部具备施加RF电源的天线，一边对腔室内供给反应气体、一边产生等离子体，由此能够执行基板的表面处理工序。

在利用这种ICP方式的基板处理装置中，天线对等离子体的产生以及工序性能产生重要的影响，因此，正在开发螺旋型RF天线、并列型RF天线等多种天线，另外，为了使等离子体的密度变得均匀，正在研究调节天线间距或者改变电介质板的厚度以及形状的方法等。

但是，以往为了在腔室内部中均匀地产生等离子体，或者是调节天线的间距，或者是改变电介质板的厚度或结构，因此存在整体结构变复杂且工序性能的改善存在限度的问题。

以上说明的背景技术的内容是本申请的发明者为了导出本发明而拥有或者在导出本发明的过程中所获得的技术信息，不能认为上述内容应当是在申请本发明之前对一般公众公开的公知技术。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而做出的，其目的在于提供一种在腔室外部和内部并列设置天线而使腔室内的等离子体的密度变得均匀，能够提高工序性能的基板处理装置。

用于解决上述问题的本发明涉及的基板处理装置，包括：腔室，可执行基板表面处理；第一天线，在上述腔室的外部，隔着设置于上述腔室的窗口而设置；第二天线，在上述腔室的内部，设置在上述第一天线设置区域的周边位置。

优选地，上述第一天线位于上述腔室上部的中央部，上述第二天线位于上述腔室上部的、以上述第一天线的设置部位为中心的外侧周边。

优选地，上述第二天线设置于在上述腔室内部具备的电介质层的内部。

优选地，上述电介质层由多个材质层叠而构成，并且，按介电常数从包围上述第二天线的部分向上述腔室的外侧方向逐渐增大的顺序层叠。此时，上述电介质层可以从腔室的内侧按模压(molding)层、陶瓷层的顺序构成。

也可以是，在与上述第二天线连接的RF导入线和上述第二天线接地的接地线中的至少一个上，设置有电容器。

另外，用于解决上述问题的本发明涉及的基板处理装置，包括：腔室主体；导引架，与上述腔室主体的上部接合而构成腔室，在上部中央具有空腔结构的第一设置部；第一天线，设置在上述导引架的第一设置部的内侧；窗口，设置在上述导引架的第一设置部，分隔上述腔室的内侧和上述第一天线，使得上述第一天线位于上述腔室的外侧；以及第二天线，在上述导引架的内侧设置在上述第一设置部的周边位置。

优选地，上述导引架在上述第一设置部的外侧周边具备具有凹槽结构的第二设置部，以便能够设置上述第二天线。

也可以是，在上述导引架上设有分隔上述第一设置部和上述第二设置部的分隔部件。

也可以是，在上述导引架的上部具备：插座部，在上述腔室的外侧可与上述第二天线连接；以及连接器部，与该插座部接合。

也可以是，在上述第二设置部设有电介质层；在上述电介质层内设有上述第二天线。

也可以是，在上述第一设置部和上述第二设置部之间设有配置成环形结构且喷射工艺气体的喷头。

此时，可以是，上述喷头具有下侧方向的喷射口和沿上述导引架的中心方向即水平方向的喷射口。

与此不同，也可以是，上述第一设置部的中心部构成工艺气体导入部，还具备在上述导引架的上述第一设置部以及上述第二设置部的整个下部区域喷射工艺气体的喷头。