[发明专利]用于显示设备的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201010612964.3 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102315228A | 公开(公告)日: | 2012-01-11 |
发明(设计)人: | 郑在纹;崔文镐 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/336 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 显示 设备 阵列 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于显示设备的阵列基板,包括
基板;
在所述基板上相互交叉以限定像素区域的栅线和数据线;
连接到所述栅线和数据线的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括栅极、在所述栅极上的栅绝缘层、在所述栅绝缘层上的有源层、在所述有源层上的欧姆接触层和在所述欧姆接触层上的源极和漏极;和
连接到所述漏极的像素电极,
其中所述源极和漏极相互分隔开以限定分隔区域,
其中所述分隔区域包括在不同方向上的第一至第三区域,和
其中在所述第一至第三区域的至少一个中去除所述有源层以暴露出所述栅绝缘层。
2.如权利要求1的阵列基板,其中在所述第一至第三区域中的其余区域中留下的有源层经由所述第一至第三区域的所述其余区域暴露出并用作所述薄膜晶体管的沟道。
3.如权利要求1的阵列基板,其中所述薄膜晶体管的所述沟道在一个方向上形成。
4.如权利要求1的阵列基板,其中所述分隔区域具有U型形状,所述第一区域对应于U型分隔区域的直线部分,所述第三区域对应于U型分隔区域的底部部分,所述第二区域对应于U型分隔区域的所述直线部分和底部部分之间的拐角部分。
5.如权利要求4的阵列基板,其中所述有源层是在所述分隔区域的第三区域中被去除的。
6.如权利要求4的阵列基板,其中所述有源层是在所述分隔区域的第二区域和第三区域中被去除的。
7.如权利要求4的阵列基板,其中所述分隔区域的第一区域与所述栅线平行,所述分隔区域的第二区域关于所述栅线以45度或-45度角倾斜,所述第三区域垂直于所述栅线。
8.如权利要求4的阵列基板,其中所述分隔区域的第一区域关于所述栅线以45度角倾斜,所述分隔区域的第二区域与所述栅线平行或垂直,所述第三区域关于所述栅线以135度角倾斜。
9.如权利要求4的阵列基板,其中所述分隔区域的第一区域垂直于所述栅线,所述分隔区域的第二区域关于所述栅线以45度或135度角倾斜,所述第三区域与所述栅线平行。
10.一种制造用于显示设备的阵列基板的方法,该方法包括:
在基板上形成栅线和与所述栅线连接的栅极;
在所述栅线和栅极上形成栅绝缘层;
使用包括透光部分、半透光部分和阻挡部分的光掩模在所述栅绝缘层上形成有源层、欧姆接触层、源极和漏极;
在所述源极和漏极上形成钝化层;和
在所述钝化层上形成与所述漏极连接的像素电极,
其中所述源极和漏极相互分隔开以限定分隔区域,
其中所述分隔区域包括不同方向上的第一至第三区域,和
其中在所述第一至第三区域的至少一个中去除所述有源层以暴露出所述栅绝缘层。
11.如权利要求10的方法,其中在所述第一至第三区域中的其余区域中留下的有源层经由所述第一至第三区域中的所述其余区域暴露出并用作所述薄膜晶体管的沟道。
12.如权利要求11的方法,其中在所述第一至第三区域的至少一个中去除的有源层在光掩模工艺中对应于透光部分,在所述第一至第三区域中的其余区域中留下的有源层在光掩模工艺中对应于半透光部分。
13.如权利要求10的方法,其中所述薄膜晶体管的沟道在一个方向上形成。
14.如权利要求10的方法,其中所述分隔区域具有U型形状,所述第一区域对应于U型分隔区域的直线部分,所述第三区域对应于U型分隔区域的底部部分,所述第二区域对应于U型分隔区域的所述直线部分和底部部分之间的拐角部分。
15.如权利要求14的方法,其中所述有源层是在所述分隔区域的第三区域中被去除的。
16.如权利要求14的方法,其中所述有源层是在所述分隔区域的第二区域和第三区域中被去除的。
17.如权利要求14的方法,其中所述分隔区域的第一区域平行于所述栅线,所述分隔区域的第二区域关于所述栅线以45度或-45度角倾斜,所述第三区域垂直于所述栅线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的