[发明专利]测定液晶参数的方法及装置有效
| 申请号: | 201010610643.X | 申请日: | 2010-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN102566092A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
| 发明(设计)人: | 江直融;刘志祥 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02B27/28 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 测定 液晶 参数 方法 装置 | ||
1.一种测定液晶参数的装置,包含:
一线偏光产生器,接收一光源的入射光并自该光源取出多个入射线偏光;
一第一电控控制器,连接至该线偏光产生器以调制该线偏光产生器产生不同方位角的该线偏光;
一待测样品,其中心方向轴线与该线偏光形成一倾斜夹角;
一偏光分析器,接收来自穿透该待测样品的透射光;
一第二电控控制器,连接至该偏光分析器以调制该偏光分析器,以取出一特定的偏光强度;以及
一数据处理装置,置于一后端,接收来自该偏光分析器的取出的偏光数据,藉由一切层理论模型,求解出至少一液晶光学参数。
2.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中该线偏光产生器还包括一起偏器与一第一旋转平台,该起偏器固定于该第一旋转平台上,由该第一电控控制器控制该旋转平台以产生不同方位角的线偏光,并以所设定的倾斜角度投射至该待测样品。
3.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中该偏光分析器还包含一波片、一第二旋转平台、一检偏器以及一光接收器,该波片固定于该第二旋转平台上,由该第二电控控制器控制该第二旋转平台,以取出特定的偏光强度,并由该光接收器接收光强度变化转换成电流或电压信息。
4.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中该线偏光产生器还包含一起偏器、一前置电压调制电控相移器和一波片,并于该起偏器前设置一光学滤镜,且该波片对应该光学滤镜的波长的四分之一,由该光学滤镜取出该光源的特定波长,由该线偏光产生器取出线偏光,由该第一电控控制器控制该前置电压调制电控相移器,使该偏光产生器产生不同方位角的线偏光,并以所设定的倾斜角度投射至该待测样品。
5.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中该偏光分析器还包括一第二电压调制电控相移器、一检偏器以及一光接收器,由该偏光分析器分析穿透该待测样品的该透射光,由该第二电控控制器施加该第二电压调制电控相移器的相位,以取出特定的偏光强度,并由该光接收器接收光强度变化转换成电流或电压信息。
6.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中该待测样品置放于一倾斜机构上,再利用旋转该倾斜机构的方式,使得该待测样品的中心方向轴线与该线偏光形成一倾斜夹角。
7.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中,可藉由旋转该线偏光产生器,使得该待测样品的中心方向轴线与该线偏光形成一倾斜夹角,而该偏光分析器也相对应的旋转以顺利接收穿透该待测样品的该透射光。
8.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中该切层理论模型使用一Jones矩阵或一扩充的Jones矩阵来展开。
9.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中该切层理论模型表示为M=R(-α)R(φ)R(-Δφ)Mj-1…R(-Δφ)·M1R(-Δφ)M0R(α),其中R(α)和R(-α)为座标是转换表示式,α为第0层液晶分子的配向角度;Mk代表每一层液晶的电场表示式。
10.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中该取出特定的偏光强度包含线偏光、不同椭圆率和不同旋向性的偏光特性。
11.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中该求解液晶光学参数为计算配向角度、扭转角、液晶厚度以及预倾角的前述液晶光学参数中至少一个。
12.如权利要求1所述的测定液晶参数的装置,其中该计算配向角度、扭转角、液晶厚度以及预倾角等液晶光学参数中是藉由透过该理论模型和测定讯号拟合或比对原理来求解。
13.一种测定液晶参数的方法,包含:
输入初始的至少一液晶光学参数;
设定倾斜角度,使自光源取出的特定偏光成分,以所设定的倾斜角度投射至一待测样品;
取得特定光强度讯号,开始测定各倾斜角度的光强度讯号,是使用一偏光分析器取出透过该待测样品的特定偏光强度;以及
理论模型比对/拟合该特定光强度讯号,是透过一理论模型和至少一测定讯号,将该偏光强度以一数据处理装置所建立的一切层理论模型,求解至少一液晶光学参数。
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