[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010610228.4 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102130245A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/22;H01L33/12;H01L33/42;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管，包括：
衬底，包括正面以及与所述正面相对的背面，所述正面上具有多个凸起；
依次形成于所述凸起上的第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；
形成于所述第二导电类型半导体层上的第二导电类型电极；
形成于所述衬底背面的第一导电类型电极。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底为硅衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起为锥形凸起、半球形凸起、椭球形凸起或双焦距微透镜结构。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起底部之间的距离小于0.2微米。
5.如权利要求1或2或3或4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。
6.如权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，还包括形成于所述衬底和第一导电类型半导体层之间的缓冲层。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底为n型衬底；所述缓冲层的材料为n型氮化铟或n型碳化硅；所述第一导电类型半导体层的材料为n型氮化镓；所述有源层包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层的材料为铟氮化镓；所述第二导电类型半导体层的材料为p型氮化镓。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，还包括形成于所述第二导电类型半导体层上的透明导电层。
9.一种发光二极管制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括正面以及与所述正面相对的背面；
在所述衬底正面形成多个凸起；
在所述凸起上依次形成第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层；
在所述第二导电类型半导体层上形成第二导电类型电极；
在所述衬底背面形成第一导电类型电极。
10.如权利要求9所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述衬底为硅衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底。
11.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起为锥形凸起、半球形凸起、椭球形凸起或双焦距微透镜结构。
12.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起底部之间的距离小于0.2微米。
13.如权利要求9或10或11或12所述的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为n型，所述第二导电类型为p型。
14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底正面形成多个凸起之后，还包括：在所述凸起上形成缓冲层。
15.如权利要求14所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为n型衬底；所述缓冲层的材料为n型氮化铟或n型碳化硅；所述第一导电类型半导体层的材料为n型氮化镓；所述有源层包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层的材料为铟氮化镓；所述第二导电类型半导体层的材料为p型氮化镓。
16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二导电类型半导体层之后，还包括：在所述第二导电类型半导体层上形成透明导电层。
17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底背面形成第一导电类型电极之前，还包括：减薄所述衬底。
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