[发明专利]一种实现SDRAM的四通道串行通信方法有效
申请号: | 201010610151.0 | 申请日: | 2010-12-17 |
公开(公告)号: | CN102063392A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | 邱柏云;马震伟 | 申请(专利权)人: | 杭州晟元芯片技术有限公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16 |
代理公司: | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人: | 陈继亮 |
地址: | 310012 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 sdram 通道 串行 通信 方法 | ||
技术领域
本发明涉及SDRAM存储器的应用领域及串行通信领域,尤其是一种实现SDRAM的四通道串行通信方法。
背景技术
SDRAM的相关技术背景如下:
1、SDRAM引脚分类
(1)地址信号端口:BANK信号端口(BA0、BA1),行地址和列地址复用端口(A0~A11)。
(2)数据信号端口:双向引脚(D0~D15),受读写命令和数据掩码端口(DQM)控制。
(3)控制信号端口:时钟使能端口(CKE)、命令端口包括片选(CS)和行列地址选择(CAS、RAS)、读写有效(WE)。命令编码如表所示:
2、SDRAM寻址方式
BA0、BA1端口接收BANK选择信号,通过L_BANK控制逻辑进行BANK选择,地址线A0~A11为列地址和行地址复用端口传输给列地址锁存器和解码器,行地址锁存器和解码器,进行行地址和列地址的寻址。
3、SDRAM通信方式
命令端口并行接收命令信号,地址信号端口并行接收BANK和行列地址信号,数据信号端口并行传输数据。
4、串行四通道通信方式
已实现的SQI控制器,SQI的四通道通信模式中,通过四个通道与flash实现串行通信。先由一个通道发送1字节命令信号,再通过四个通道发送地址信号,接着发送数据信号。
现有的SDRAM的通信方式为并行通信,对SDRAM进行操作时,须并行地传输信号。命令信号、地址信号、数据信号通过各自的端口传输,对外接口多,与MCU连接时,须分别分配端口给SDRAM的命令端口、地址端口和数据端口,占用较多的I/O口。对SDRAM操作时,占用MCU较多的资源,MCU须同时对命令、地址、数据端口进行操作才能完成相关操作,降低了MCU的功能。不支持串行通信方式,不与串行四通道接口兼容。
发明内容
本发明的目的正是要解决SDRAM存储器无法与外部设备串行通信的问题,而提供一种实现SDRAM的四通道串行通信方法。
本发明解决其技术问题采用的技术方案:这种实现SDRAM的四通道串行通信方法,步骤如下:
(1)、通过一个通道传输命令信号:串行四通道SDRAM的命令有读操作命令、写操作命令、初始化配置命令,通过命令控制逻辑单元将从串行通道D0收到的命令信号解码并识别命令;当命令控制逻辑单元识别到初始化命令后,输出PLL和刷新计数器的配置信号,执行配置PLL和刷新计数器的配置操作;
(2)、通过四个通道传输地址信号:当命令控制逻辑单元识别到读写命令后,对收到的地址信号进行解析,产生列地址和行地址、BANK信号,发送给列地址锁存解码器和行地址锁存解码器、BANK控制逻辑;接着传输数据信号,数据信号的传输由读写寄存器控制;
(3)、控制读写串行四通道SDRAM:当命令控制逻辑单元识别到读写命令后,对读写寄存器操作,配置读写寄存器控制数据输入寄存器和数据输出寄存器,实现数据的输入输出控制;读写寄存器配置为写操作时,数据输入寄存器接收串行数据,发送到与BANK链接的数据线上D0~D1,读操作时,数据输出寄存器将从与BANK链接的数据线上的接收的数据发送到串行四通道上D0~D3。
作为优选,配置上电复位模块POR,上电时,器件的所有寄存器值恢复到默认值。
作为优选,用户在使用串行四通道SDRAM前须进行初始化配置,完成PLL配置和刷新配置,PLL配置为最大值配置,用以保证外部CLK信号的大范围配置空间,刷新配置在初始化配置中一次完成。
作为优选,所述外部CLK信号的大范围配置空间为160兆赫兹以上。
本发明有益的效果是:将SDRAM存储器的并行通信方式改变为串行通信方式,实现SDRAM的四通道串行通信功能。1、减少SDRAM的指令数量,指令数少,只有初始化、读写操作三个指令,操作简单;2、初始化过程简单,使用时只需配置PLL和刷新计数器。3、配置上电复位模块(POR),在上电时,串行四通道SDRAM恢复默认设置。4、减少与外部设备链接的端口数量,使命令信号、地址信号、数据信号都通过复用的串行四通道端口(D0~D3)传输,使串行四通道SDRAM在使用中比SDRAM具备操作更简单,端口数量更少的优势。
附图说明
图1为本发明串行四通道SDRAM框图;
图2为本发明串行四通道SDRAM时序图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明:
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