[发明专利]一种金属栅极的制作方法有效
| 申请号： | 201010610018.5 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102569049A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 栅极 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属栅极的制作方法，其特征在于，该方法包括：
在提供的半导体衬底上形成栅氧化层和替代栅极后，在替代栅极两侧形成侧壁层；
以侧壁层和替代栅极为掩膜，对半导体衬底进行离子注入形成源漏区；
在半导体衬底、侧壁层及替代栅极表面沉积接触刻蚀停止层；
在接触刻蚀停止层沉积第一金属前介质层后，所沉积的第一金属前介质层高度超过替代栅极表面，抛光至接触刻蚀停止层停止，在同一平面上的第一金属前介质层表面和接触刻蚀停止层表面形成台阶；
在第一金属前介质层表面和接触刻蚀停止层表面沉积第二金属前介质层，完全覆盖所述台阶后，再次抛光至替代栅极表面；
刻蚀掉替代栅极得到替代栅极沟槽，在替代栅极沟槽填充金属栅极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二金属前介质层的材料为氧化硅。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二金属前介质层采用等离子体增强化学气相沉积PECVD方法得到。
4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二金属前介质层采用亚大气压化学气相沉积SACVD方法得到。
5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二金属前介质层采用SACVD方法和PECVD方法得到。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二金属前介质层先采用SACVD方法，再采用PECVD方法得到。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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