[发明专利]一种浅沟槽隔离制作方法

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离制作方法，提供具有衬底的晶片，所述衬底表面依次具有二氧化硅衬垫和氮化硅层，依次刻蚀所述氮化硅层、所述二氧化硅衬垫和所述衬底，在所述氮化硅层和所述二氧化硅衬垫中形成窗口，在所述衬底中形成浅沟槽，其特征在于，该方法还包括：

所述氮化硅层表面和所述浅沟槽表面沉积二氧化硅，填充所述浅沟槽；

化学机械研磨去除所述氮化硅层上沉积的二氧化硅，露出所述氮化硅层时停止所述化学机械研磨；

以所述氮化硅层和所述二氧化硅衬垫为掩膜，重金属离子掺杂所述浅沟槽中的二氧化硅，形成重金属离子掺杂层，所述重金属离子掺杂层与后续制作的空穴型金属氧化物半导体场效应晶体管导电沟道处在同一水平位置；

所述晶片退火。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重金属离子掺杂的方法是离子注入。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述重金属离子掺杂的杂质是锗或者锑。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述重金属离子掺杂锗的能量范围是30千电子伏特到160千电子伏特；所述重金属离子掺杂锗的剂量范围是1E15原子/平方厘米到1E16原子/平方厘米；

所述重金属离子掺杂锑的能量范围是40千电子伏特到250千电子伏特；所述重金属离子掺杂锑的剂量范围是1E15原子/平方厘米到1E16原子/平方厘米；

所述重金属离子掺杂的方法是离子注入，所述离子注入的离子束与晶片器件面的法线所成角度的范围是0度到11度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶片退火采用普通的退火热处理工艺或快速高温退火工艺；普通的退火热处理的温度范围是800摄氏度到1100摄氏度，退火的时间范围是30分钟到120分钟；快速高温退火的退火温度范围是1000～1300摄氏度，退火时间范围是10秒到1分钟，温度变化速率是50摄氏度每秒到250摄氏度每秒。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

所述重金属离子掺杂之前，光刻形成光刻图案，以光刻图案为掩膜进行重金属离子掺杂；

所述重金属离子掺杂之后去除残留光刻图案。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述光刻图案的开口宽度小于所述浅沟槽的开口宽度；所述光刻图案的开口宽度范围是50纳米到200纳米。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

露出所述氮化硅层时，所述化学机械研磨再持续2～10秒。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述化学机械研磨后，所述窗口中沉积的二氧化硅的高度大于或等于所述浅沟槽的深度。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法进一步包括：

沉积所述二氧化硅之前，在所述浅沟槽中生长柔性氧化层。