[发明专利]具有能量回收功能的发光二极管的电流控制电路

说明书

技术领域

本发明是有关于一种发光二极管的电流控制电路，尤指一种具有能量回收功能的发光二极管的电流控制电路。

背景技术

请参照图1，图1是为现有技术说明发光二极管的电流控制电路100的示意图。电流控制电路100包括电流控制单元102与多个双载子二极管Q1-Qm。复数串发光二极管LED1-LEDm中的每一串发光二极管的第一端是用以接收第一电压VCC。电流控制单元102是耦接于每一串发光二极管的第二端，用以侦测每一串发光二极管的电流，以及根据每一串发光二极管的电流，输出电流控制信号至相对应的双载子二极管的基极端。而双载子二极管则根据电流控制信号，控制相对应的一串发光二极管的电流。

请参照图2，图2是为现有技术说明发光二极管的电流控制电路200的示意图。电流控制电路200包括电流控制单元202与多个N型金属氧化物半导体晶体管T1-Tm。复数串发光二极管LED1-LEDm中的每一串发光二极管的第一端是用以接收第一电压VCC。电流控制单元202是耦接于每一串发光二极管的第二端，用以侦测每一串发光二极管的电流，以及根据每一串发光二极管的电流，输出电流控制信号至相对应的N型金属氧化物半导体晶体管的闸极端。而N型金属氧化物半导体晶体管则根据电流控制信号，控制相对应的一串发光二极管的电流。

如图1和图2所示，电流控制单元102和202是用以侦测每一串发光二极管的电流，以及根据每一串发光二极管的电流，输出电流控制信号至相对应的双载子二极管的基极端和相对应的N型金属氧化物半导体晶体管的闸极端，以改变相对应的双载子二极管和相对应的N型金属氧化物半导体晶体管的阻抗，并控制每一串发光二极管的电流。然而当复数串发光二极管之间的总顺向导通电压差異较大且流经每一串发光二极管的电流愈來愈大时，将使得损耗在双载子二极管和N型金属氧化物半导体晶体管上的功率愈來愈大，导致电路的转换效率降低。如此，将会造成电流控制电路的操作温度增加，导致必须使用较佳的散热方式，來降低电流控制电路的温度，使电流控制电路不会过热毁坏。

发明内容

本发明的一实施例提供一种具有能量回收功能的发光二极管的电流控制电路。该电流控制电路包括至少一二极管及至少一转换器。该二极管具有阳极端，及阴极端，用以耦接于至少一串发光二极管的第一端；及该转换器具有第一端，耦接于相对应的二极管的阳极端，第二端，用以耦接于相对应的一串发光二极管的第二端，第三端，及第四端，耦接于地端。

本发明提供的一种具有能量回收功能的发光二极管的电流控制电路，是利用至少一电流控制单元侦测流经每一串发光二极管的电流，并通过对应于每一串发光二极管的转换器，个别控制流经每一串发光二极管的电流。另外，每一转换器会将经由相对应的一串发光二极管所传递进来的能量，通过相对应的二极管将能量传回供应每一串发光二极管的第一端的第一电压，达到能量回收的功能。

附图说明

图1是为现有技术说明发光二极管的电流控制电路的示意图。

图2是为现有技术说明发光二极管的电流控制电路的示意图。

图3是为本发明的一实施例说明具有能量回收功能的发光二极管的电流控制电路的示意图。

图4是为本发明的还一实施例说明具有能量回收功能的发光二极管的电流控制电路的示意图。

图5是为本发明的还一实施例说明具有能量回收功能的发光二极管的电流控制电路的示意图。

其中，附图标记说明如下：

100、200、300、400、500        电流控制电路

102、202、306、30412-304n2     电流控制单元

3081-308n                      发光二极管

3021-302n                      二极管

3041-304n                      转换器

CT1-CTn                        电流控制信号

Q1-Qm                          双载子二极管

LED 1-LEDm                     发光二极管

VCC                            第一电压

T1-Tm                          N型金属氧化物半导体晶体管

C1                             电容