[发明专利]射频功率放大器无效
| 申请号： | 201010608187.5 | 申请日： | 2010-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102570994A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张宗楠;陈立强;张健;张海英 | 申请（专利权）人： | 沈阳中科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/20 | 分类号： | H03F3/20 |
| 代理公司： | 沈阳亚泰专利商标代理有限公司 21107 | 代理人： | 韩辉 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈阳市浑南新区*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 射频 功率放大器 | ||
【权利要求书】：
1.一种射频功率放大器，包括有片上变压器，其特征在于片上变压器的初级线圈由两个线圈指条并联构成，内嵌于次级线圈的三个线圈之间。
2.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于片上变压器初级线圈两个并联的线圈交叉结合，即两个并联的线圈分别分为两部分，内线圈的一半与外线圈的一半结合。
3.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于接地通孔内置于线圈内部，将初级线圈与次级线圈的接地端直接连到线圈内部的接地通孔。
4.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于片上变压器初级线圈的输入端的上下两层金属走线连接处所需要的过孔为由上下两层金属构成的MIM电容。
5.根据权利要求1所述的射频功率放大器，其特征在于片上变压器次级线圈的输出端的上下两层金属走线连接处所需要的过孔为次级线圈输出端匹配所需要的电容。
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