[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件含有主面、与所述主面相反的背面、在所述主面上形成的多个器件区和设置在所述器件区之间的划片区，所述方法包括：

(a)供应研磨液并研磨所述半导体晶片的所述背面，其中覆盖所述主面的保护片粘贴至半导体晶片的所述主面；以及

(b)在所述步骤(a)之后，通过使切片刀沿着所述划片区行进切割所述半导体晶片，以便将所述晶片划分成分开的各个器件区，

其中，所述半导体晶片的所述器件区中的每一个都包括在所述主面上形成的多个半导体元件、覆盖所述半导体元件地形成的第一绝缘层、在所述第一绝缘层上形成的最上布线层、为所述最上布线层形成且与所述半导体元件电耦合的多个端子、和覆盖所述最上布线层地形成且含有分别使所述端子暴露出来的多个开口的第二绝缘层，

其中，在所述半导体晶片的所述划片区的一部分中，在所述主面上形成所述第一绝缘层，为所述最上布线层形成第一金属图案，并且所述第二绝缘层覆盖所述第一金属图案的整个上表面，以及

其中，所述步骤(a)在所述保护片粘贴在所述第二绝缘层上之后执行。

2.按照权利要求1所述的半导体器件的制造方法，还包括：

在所述主面与所述最上布线层之间形成多个布线层；以及

在所述半导体晶片的每个所述器件区中，通过将各个布线层从所述主面连接到所述最上布线层形成第二金属图案以便围绕形成有所述端子的区域，

其中，在所述第二金属图案上形成所述第二绝缘层以便覆盖所述第二金属图案的上表面，以及

其中，所述第一金属图案和所述第二金属图案相互隔开。

3.按照权利要求2所述的半导体器件的制造方法，还包括：

在为所述器件区形成的所述第二绝缘层与为所述划片区形成的所述第二绝缘层之间形成沟槽，

其中，所述器件区的所述第二绝缘层与所述划片区的所述第二绝缘层分开。

4.按照权利要求3所述的半导体器件的制造方法，

其中，从所述沟槽在划片区侧的末端到所述第一金属图案的末端的间隔小于从所述沟槽在器件区侧的末端到所述第二金属图案的末端的间隔。

5.按照权利要求3所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述第二金属图案被配置为接收基准电位。

6.按照权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述划片区含有沿行向延伸的多条第一划线和沿列向延伸的多条第二划线，

其中所述第一金属图案具有长方形平面形状，以及

其中，所述第一金属图案的短边沿着沿第一划线或第二划线延伸的方向设置。

7.按照权利要求1所述的半导体器件的制造方法，还包括：

通过除去所述第二绝缘层的一部分和所述第一绝缘层的一部分形成沟槽，

其中，所述划片区含有沿行向延伸的多条第一划线和沿列向延伸的多条第二划线，以及

其中，所述沟槽是在所述第一划线与所述第二划线之间的多个相交区之间形成的。

8.按照权利要求1所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述划片区含有沿行向延伸的多条第一划线和沿列向延伸的多条第二划线，以及

其中，所述第一金属图案被设置在所述第一划线与所述第二划线之间的相交区处。

9.按照权利要求8所述的半导体器件的制造方法，

其中，所述第一金属图案中的每一个被设置在按矩阵布置的所述器件区中的相邻器件区之间。

10.按照权利要求1所述的半导体器件的制造方法，还包括：

在所述半导体晶片的所述划片区的另一个部分中，形成在所述主面上形成的所述第一绝缘层、为所述最上布线层形成且经由在所述最上布线层下面的布线层与为所述划片区的所述主面形成的半导体元件电耦合的第三金属图案、和覆盖所述第三金属图案的外围以便使所述第三金属图案的一部分暴露出来的所述第二绝缘层，

其中，所述第一金属图案的面积小于所述第三金属图案的面积。