[发明专利]壳体及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010607311.6 申请日: 2010-12-27
公开(公告)号: CN102534611A 公开(公告)日: 2012-07-04
发明(设计)人: 张新倍;陈文荣;蒋焕梧;陈正士;詹益淇;陈晓强 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C23C28/00 分类号: C23C28/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 壳体 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种壳体及其制造方法,特别涉及一种铝或铝合金的壳体及其制造方法。

背景技术

铝或铝合金目前被广泛应用于航空、航天、汽车及微电子等工业领域。但铝或铝合金的标准电极电位很低,耐腐蚀差,暴露于自然环境中会引起表面快速腐蚀。

提高铝或铝合金耐腐蚀性的方法通常是在其表面形成保护性的涂层。传统的阳极氧化、电沉积、化学转化膜技术及电镀等铝或铝合金的表面处理方法存在生产工艺复杂、效率低、环境污染严重等缺点。

真空镀膜(PVD)为一清洁的成膜技术。然而,由于铝或铝合金的标准电极电位很低,且PVD涂层本身不可避免的会存在微小的孔隙,因此该PVD涂层难以较好的防止铝或铝合金基体发生电化学腐蚀,因此对铝或铝合金基体的耐腐蚀能力的提高有限。

发明内容

鉴于此,提供一种具有较好的耐腐蚀性的铝或铝合金的壳体。

另外,还提供一种上述壳体的制造方法。

一种壳体,包括铝或铝合金基体,该壳体还包括依次形成于该铝或铝合金基体上的Al膜层和防腐蚀膜层,该防腐蚀膜层为通过离子注入掺杂镧(La)金属离子的氧化铝梯度膜层,所述氧化铝梯度膜层中氧原子的数量百分含量由靠近铝或铝合金基体至远离铝或铝合金基体的方向呈梯度增加。

一种壳体的制造方法,其包括如下步骤:

提供铝或铝合金基体;

于该铝或铝合金基体的表面磁控溅射Al膜层;

于Al膜上磁控溅射氧化铝梯度膜层,该氧化铝梯度膜中氧原子的原子百分含量由靠近铝或铝合金基体至远离铝或铝合金基体的方向呈梯度增加;

与氧化铝梯度膜层注入镧金属离子,形成防腐蚀膜层。

本发明所述壳体的制造方法,在铝或铝合金基体上依次形成的Al膜层和防腐蚀膜层,该防腐蚀膜层为通过离子注入掺杂镧(La)金属离子的氧化铝梯度膜层该,Al膜层和防腐蚀膜层的复合膜层可显著提高所述壳体的耐腐蚀性,且该壳体的制造工艺简单、几乎无环境污染。

附图说明

图1是本发明较佳实施方式壳体的剖视示意图。

图2是图1壳体的制作过程中所用镀膜机结构示意图。

主要元件符号说明

壳体              10

铝或铝合金基体    11

Al膜层            13

防腐蚀膜层        15

镀膜机            100

镀膜室            20

真空泵            30

轨迹              21

靶材              22

气源通道          24

具体实施方式

请参阅图1,本发明一较佳实施例的壳体10包括铝或铝合金基体11、依次形成于该铝或铝合金基体11表面的铝膜层13、氧化铝梯度膜15,最后,在该氧化铝梯度膜15离子注入镧金属离子。

所述氧化铝梯度膜15的厚度为0.5~2.0μm。所述氧化铝梯度膜15通过磁控溅射镀膜法形成。该氧化铝梯度膜15中O原子的质量百分含量由靠近铝或铝合金基体11至远离铝或铝合金基体11的方向呈梯度增加。

该壳体10还包括形成于该铝或铝合金基体11与氧化铝梯度膜15之间的铝膜层13。所述铝膜层13的形成用以增强所述氧化铝梯度膜15与铝或铝合金基体11之间的结合力。所述铝膜层13的厚度为100~300nm。

所述壳体10的制造方法主要包括如下步骤:

提供铝或铝合金基体11,该铝或铝合金基体11可以通过冲压成型得到,其具有待制得的壳体10的结构。

将所述铝或铝合金基体11放入盛装有乙醇或丙酮溶液的超声波清洗器中进行震动清洗,以除去铝或铝合金基体11表面的杂质和油污。清洗完毕后烘干备用。

对经上述处理后的铝/镁金属基体11的表面进行氩气等离子清洗,进一步去除铝/镁金属基体11表面的油污,以改善铝/镁金属基体11表面与后续涂层的结合力。

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