[发明专利]镀膜件及其制造方法

权利要求书

1.一种镀膜件，其包括基体及形成于基体表面的打底层，其特征在于：该打底层为镍铬合金层，该镀膜件还包括形成于打底层表面的梯度膜层，该梯度膜层为镍铬硼碳氮层。

2.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述梯度膜层中碳元素、氮元素的质量百分含量由靠近打底层至远离打底层的方向呈梯度增加。

3.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述梯度膜层中镍元素质量百分含量为20％～30％，铬元素质量百分含量为30％～45％，硼元素质量百分含量为5％～10％，碳元素质量百分含量为10％～20％，氮元素质量百分含量为10％～20％。

4.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述打底层及梯度膜层分别通过磁控溅射镀膜法形成。

5.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述打底层的厚度为100～300nm，所述梯度膜层的厚度为1～4μm。

6.如权利要求1所述的镀膜件，其特征在于：所述基体为含有Ni、Cr中至少一种元素的不锈钢。

7.一种镀膜件的制造方法，其包括如下步骤：

提供基体；

采用镍铬合金靶为靶材，在基体表面形成打底层，该打底层为镍铬合金层；

以氮气及乙炔气体为反应气体，采用镍铬合金靶、硼靶及石墨靶为靶材，在打底层的表面进行共溅射形成梯度膜层，该梯度膜层为镍铬硼碳氮层。

8.如权利要求7所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：所述形成打底层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，设置镍铬合金靶的电源功率为8～10kw，以氩气为工作气体，氩气流量为200～400sccm，施加于基体的偏压为-100～-300V，镀膜温度为100～200℃，镀膜时间为20～60min。

9.如权利要求7所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：所述形成梯度膜层的步骤采用如下方式实现：采用磁控溅射法，设置镍铬合金靶的电源功率为8～10kw、硼靶的电源功率为3～10kw；以氩气为工作气体，氩气流量为300～500sccm，设置氮气与的初始流量为10～20sccm，在沉积梯度膜层的过程中，每沉积1～5min将氮气的流量增大5～15sccm，当氮气的流量到达50～150sccm时，停止增大氮气流量；每沉积1～5min将乙炔气体的流量增大5～15sccm，当乙炔气体的流量到达100～200ccm时，停止增大乙炔气体流量；施加于基体的偏压为-100～-300V，镀膜温度为100～200℃，镀膜时间为30～120min。

10.如权利要求8或9所述的镀膜件的制造方法，其特征在于：所述镍铬合金靶中Ni的质量百分含量为20～80％。