[发明专利]投影式光刻机三维掩模曝光方法无效
| 申请号： | 201010606314.8 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102540747A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张俊;陈勇辉;杨志勇 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 王光辉 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 投影 光刻 三维 曝光 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种投影式光刻机的三维掩模曝光方法，具有如下步骤：
(1)根据工件上需要加工的图案，加工三维掩模，该三维掩模具有包括倾斜部分与非倾斜部分，且该倾斜部分与非倾斜部分形成有需要曝光的掩模图案；
(2)上载该三维掩模，上载该工件；
(3)全局对准；
(4)在该工件上整场曝光该掩模图案。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，该倾斜部分为斜坡结构。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，该倾斜部分为台阶结构。
4.根据权利要求2或3所述的方法，其中，采用激光、电子束、离子束、或LIGA技术加工该三维掩模。
5.一种三维掩模结构，应用于投影式光刻机中，其特征在于，该该三维掩模具有包括倾斜部分与非倾斜部分，且该倾斜部分与非倾斜部分形成有需要曝光的掩模图案。
6.根据权利要求5所述的三维掩模结构，其中，该倾斜部分为斜坡结构。
7.根据权利要求5所述的三维掩模结构，其中，该倾斜部分为台阶结构。
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