[发明专利]一种扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010606034.7 申请日: 2010-12-24
公开(公告)号: CN102175894A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 陈清;高崧;李思然 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: G01Q60/58 分类号: G01Q60/58
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人: 余功勋
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 扫描 显微镜 微型 热电偶 探针 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法,包括:

a)在AFM悬臂针尖的正面制作第一金属层;

b)在所述第一金属层上制作绝缘层;

c)除去针尖的尖端上设定区域的绝缘层;

d)在所述绝缘层上制作第二金属层,所述第二金属层在所述设定区域内和所述第一金属层接触,所述第二金属层和所述第一金属层的材料组成不同。

2.如权利要求1所述的扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:在所述步骤a)和b)之间,在所述第一金属层上制作一条或多条引线。

3.如权利要求1所述的扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:在所述步骤d)之后,在所述AFM悬臂针尖的背面上制作第三金属层,所述第三金属层平衡所述悬臂的应力,并提高反射率。

4.如权利要求1所述的扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法,其特征在于,所述步骤a)通过下列方法实施:在所述AFM悬臂针尖的正面放置第一挡板,所述第一挡板覆盖所述正面的选定部分;通过真空镀膜仪在所述正面的未覆盖部分上镀膜,形成具有设定形状和厚度的所述第一金属层。

5.如权利要求1所述的扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法,其特征在于,所述步骤b)通过下列方法实施:通过原子层沉积方法在所述第一金属层上制作绝缘层。

6.如权利要求1所述的扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法,其特征在于,所述步骤c)通过下列方法实施:在扫描电镜中利用微操纵器通过电击穿方式将所述尖端处的绝缘层击穿。

7.如权利要求1所述的扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法,其特征在于,所述步骤c)通过下列方法实施:采用聚焦离子束刻蚀所述尖端处的所述绝缘层的一部分,刻蚀深度大于所述绝缘层的厚度且小于所述绝缘层和所述第一金属层的厚度之和。

8.如权利要求1所述的扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法,其特征在于,所述步骤c)通过下列方法实施:在所述AFM悬臂针尖与一导电样品之间施加电压,同时使AFM悬臂针尖的尖端在所述导电样品的表面摩擦,直至除去所述尖端上的部分绝缘层。

9.如权利要求1所述的扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法,其特征在于,所述步骤d)通过下列方法实施:在所述绝缘层上放置第二挡板,所述第二挡板覆盖所述绝缘层的选定部分;通过真空镀膜仪在所述绝缘层表面的未覆盖部分上镀膜,形成具有设定形状和厚度的所述第二金属层。

10.如权利要求1所述的扫描热显微镜微型热电偶探针的制备方法,其特征在于,所述第一金属和第二金属的塞贝克系数差超过设定阈值。

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