[发明专利]二硅化钨退火方法无效
| 申请号： | 201010605215.8 | 申请日： | 2010-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102530955A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 张花威;孙晓峰;高永亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/06 | 分类号： | C01B33/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硅化钨 退火 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种二硅化钨退火方法，其特征在于，包括以下步骤：
退火，并控制进舟温度低于600℃。
2.根据权利要求1所述的二硅化钨退火方法，其特征在于，在对WSi2进行退火之前，包括以下步骤：
通过LPCVD法先淀积形成二硅化钨，其x值在2.6～2.8；
第一次退火，使得x值降低至为2.2～2.3，得到二硅化钨。
3.根据权利要求2所述的二硅化钨退火方法，其特征在于，在x值在2.6～2.8时，电阻率为700～900μΩ·cm。
4.根据权利要求2所述的二硅化钨退火方法，其特征在于，在x值在2.2～2.3时，电阻率小于70μΩ·cm。
5.根据权利要求1所述的二硅化钨退火方法，其特征在于，所述退火在炉管中完成。
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