[发明专利]半导体缺陷信号抓取与统计系统及方法无效
申请号: | 201010604577.5 | 申请日: | 2010-12-24 |
公开(公告)号: | CN102148174A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
发明(设计)人: | 金培兴 | 申请(专利权)人: | 良率国际贸易(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/00;G01R31/02 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁;郑暄 |
地址: | 200051 上海市长*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 缺陷 信号 抓取 统计 系统 方法 | ||
1.一种半导体缺陷信号抓取与统计系统,包括在线监控装置,其特征在于,所述的系统还包括缺陷信号分析装置、缺陷信息库和缺陷信息统计装置,所述的缺陷信号分析装置分别与在线监控装置、缺陷信息库和缺陷信息统计装置相连接,所述的缺陷信息库中包含有数个预设的缺陷信号模式,所述的缺陷信号分析装置包括缺陷信号解析单元、缺陷信号抓取单元和缺陷信息队列,所述的缺陷信号抓取单元包括顺序检测子单元、重叠检测子单元、迭代检测子单元、归组检测子单元和未定义信号检测子单元。
2.一种使用权利要求1所述的系统进行半导体缺陷信号抓取与统计的方法,其特征在于,所述的方法包括以下步骤:
(1)在线监控装置对经过生产线的以格为分组的半导体晶圆进行扫描,生成包含相应缺陷信号信息的KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件;
(2)缺陷信号分析装置根据缺陷信息库对该KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件进行分析和缺陷信号抓取处理操作;
(3)缺陷信息统计装置根据上述的处理结果进行缺陷信息统计处理操作。
3.根据权利要求2所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法,其特征在于,所述的KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件中包含的信息包括半导体晶圆的格标识、槽标识、处理步骤标识、处理设备标识和相应的缺陷信号二进制信息。
4.根据权利要求3所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法,其特征在于,所述的缺陷信号抓取单元包括顺序检测子单元,所述的缺陷信号分析装置根据缺陷信息库对KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件进行分析和缺陷信号抓取处理操作包括以下步骤:
(2-1)缺陷信号解析单元读取该KLA格式晶圆缺陷扫描结果文件并对文件内容进行解析;
(2-2)缺陷信号抓取单元的顺序检测子单元根据缺陷信息库中预设的缺陷信号模式,在解析后得到的缺陷信号二进制信息中识别并抓取相应的缺陷信号模式;
(2-3)将抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步骤标识、相应的缺陷信号模式类型和缺陷信号位置存入缺陷信息队列中。
5.根据权利要求4所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法,其特征在于,所述的缺陷信号抓取单元还包括迭代检测子单元,在所述的步骤(2-3)后还包括以下步骤:
(2-4)迭代检测子单元根据抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识在未抓取到的半导体晶圆中查找具有相同的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识的半导体晶圆;
(2-5)迭代检测子单元根据抓取到的半导体晶圆的缺陷信号模式对查找到的半导体晶圆进行检测。
6.根据权利要求5所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法,其特征在于,在所述的步骤(2-5)后还包括以下步骤:
(2-6)迭代检测子单元识别未抓取到的半导体晶圆所对应的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识;
(2-7)迭代检测子单元根据所识别到的格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识在抓取到的半导体晶圆中查找具有相同格标识、槽标识、处理步骤标识以及处理设备标识的半导体晶圆;
(2-8)迭代检测子单元根据查找到的半导体晶圆的的缺陷信号模式对未抓取到的半导体晶圆进行检测。
7.根据权利要求6所述的半导体缺陷信号抓取与统计方法,其特征在于,所述的缺陷信号抓取单元还包括归组检测子单元,在所述的步骤(2-8)后还包括以下步骤:
(2-9)归组检测子单元针对每一个缺陷信号模式建立一个归组条件信息,所述的归组条件信息包括缺陷信号模式的归组特征参数以及缺陷信号模式所对应的半导体晶圆的晶圆信息;
(2-10)归组检测子单元根据抓取到的半导体晶圆所对应的缺陷信号模式,在缺陷信息库中查找与其具有相同缺陷信号模式,并具有相同的晶圆信息的半导体晶圆;
(2-11)将查找到的半导体晶圆的晶圆信息与所述的抓取到的半导体晶圆的晶圆信息进行比较,若比较结果符合所述的归组特征参数,则将抓取到的半导体晶圆和查找到的半导体晶圆归为一组。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造