[发明专利]自对准接触孔刻蚀的方法有效
| 申请号： | 201010602421.3 | 申请日： | 2010-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102543840A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陈广龙;张可钢;陈昊瑜 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311;H01L23/522 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 接触 刻蚀 方法 | ||
1.一种自对准接触孔刻蚀的方法，其特征是，包括如下步骤：
第1步，采用光刻和刻蚀工艺在衬底之上刻蚀出多晶硅栅极，多晶硅栅极之上为第一氮化硅层；
第2步，在多晶硅栅极两侧下方的衬底中以离子注入工艺进行轻掺杂漏注入，形成轻掺杂区；
第3步，先在硅片上淀积一层第二氮化硅层，再以干法反刻第二氮化硅层，直至第一氮化硅层之上的第二氮化硅层去除，此时在第一氮化硅层和多晶硅栅极的两侧就形成了氮化硅侧墙；
第4步，先在硅片上淀积一层第一氧化硅层，再以干法反刻第一氧化硅，直至第一氮化硅层之上的第一氧化硅层去除，此时在氮化硅侧墙之外又形成了氧化硅侧墙；
第5步，将需要连接接触孔的多晶硅栅极上方的第一氮化硅层去除，并在该需要连接接触孔的多晶硅栅极之上、以及衬底之上淀积一层第二氧化硅层，第二氧化硅层又称牺牲氧化层；
第6步，在氧化硅侧墙的外侧下方的衬底中进行重掺杂源漏注入，形成重掺杂区；
第7步，去除牺牲氧化层和氧化硅侧墙；
第8步，先在硅片表面淀积一层PSG(磷硅玻璃)层，再以CMP(化学机械研磨)工艺对PSG层研磨平坦化；
第9步，先在硅片表面淀积一层第三氧化硅层，第三氧化硅层为未掺杂的氧化硅，再以光刻和刻蚀工艺刻蚀出接触孔。
2.根据权利要求1所述的自对准接触孔刻蚀的方法，其特征是，所述方法第9步又包括：
第9.1步，在硅片表面淀积一层第三氧化硅层，第三氧化硅层为未掺杂的氧化硅；
第9.2步，对第三氧化硅层和部分PSG层进行刻蚀；
第9.3步，对剩余的PSG层进行刻蚀，直至露出多晶硅栅极或衬底。
3.根据权利要求1所述的自对准接触孔刻蚀的方法，其特征是，所述方法第1步中，所述第一氮化硅层的厚度为
4.根据权利要求1所述的自对准接触孔刻蚀的方法，其特征是，所述方法第3步中，所形成的氮化硅侧墙的宽度为
5.根据权利要求1所述的自对准接触孔刻蚀的方法，其特征是，所述方法第4步中，所形成的氧化硅侧墙的宽度为
6.根据权利要求4或5所述的自对准接触孔刻蚀的方法，其特征是，所述方法第4步中，所形成的氮化硅侧墙和氧化硅侧墙的总宽度为
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
