[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法无效
| 申请号： | 201010602022.7 | 申请日： | 2010-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102569162A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;王军;宋铭峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 形成 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，该方法包括：
在半导体衬底上依次形成垫氧化物层和氮化物层，并对所述氮化物层、垫氧化物层和半导体衬底刻蚀，形成沟槽；
在所述沟槽内壁形成内衬氧化物层，并在所述沟槽中填充氧化物；
去除所述氮化物层；
形成隔离侧壁层，所述形成的隔离侧壁层位于所述垫氧化物层之上、且环绕所述沟槽；
将未被所述隔离侧壁层覆盖的垫氧化物层去除。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成隔离侧壁层的方法包括：
沉积氮化硅，所述沉积的氮化硅覆盖在垫氧化物层表面、氧化物表面以及暴露出来的内衬氧化物层的表面；
对氮化硅进行刻蚀，形成隔离侧壁层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述沉积的氮化硅的厚度为100埃至300埃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成隔离侧壁层的方法包括：
沉积氮氧化硅，所述沉积的氮氧化硅覆盖在垫氧化物层表面、氧化物表面以及暴露出来的内衬氧化物层的表面；
对氮氧化硅进行刻蚀，形成隔离侧壁层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述沉积的氮氧化硅的厚度为100埃至300埃。
6.根据权利要求3或5所述的方法，其特征在于，所述隔离侧壁层底部的宽度为80埃至300埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将未被隔离侧壁层覆盖的垫氧化物层去除后，该方法进一步包括：将隔离侧壁层去除。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述去除隔离侧壁层的方法为：采用热磷酸对隔离侧壁层进行湿法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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