[发明专利]相变存储器的制作方法

权利要求书

1.一种相变存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有互连结构和底部电极，所述互连结构与所述层间介质层齐平，所述底部电极上方覆盖有部分所述层间介质层；

在所述层间介质层上方形成保护层；

在所述保护层和层间介质层内形成露出所述底部电极的开口；

利用等离子体刻蚀工艺，对所述开口的侧壁和底部进行清洁步骤；

在开口内形成相变层；

去除所述层间介质层表面的保护层。

2.如权利要求1所述的相变存储器制作方法，其特征在于，所述保护层的厚度范围为30～500埃。

3.如权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述保护层的材质为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化钽、氧化铝、氧化铪、氧化锆或氧化钨。

4.如权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述保护层的制作方法为化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或原子层沉积工艺。

5.如权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀工艺采用的离子为惰性气体的离子、含氮离子或惰性气体的离子与含氮离子的混合。

6.如权利要求5所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述惰性气体的离子为氩离子、氦离子中的一种或两种；所述含氮离子为氮离子、铵离子中的一种或两种。

7.如权利要求1、5、6中任一权利要求所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀的功率范围为100～1000W。

8.如权利要求1所述的相变存储器的制作方法，其特征在于，所述层间介质层的材质为氧化硅、氮化硅、碳化硅或氮氧化硅。