[发明专利]一种薄硅片的弯曲成形方法

权利要求书

1.一种薄硅片的弯曲成形方法，其特征在于：利用Nd:YAG脉冲激光器输出的波长为1064nm的激光束(3)对薄硅片(5)进行扫描，通过激光束(3)与薄硅片(5)材料的热作用为薄硅片(5)弯曲提供动力和温度条件，具体包括以下步骤：

A、选择被扫描长度2～10mm、厚度0.1～0.3mm的薄硅片(5)，用去离子水清洗干净；

B、将薄硅片(5)安装于预先调整好的工作台上，并利用固定夹具(6)使其一端固定；将Nd:YAG脉冲激光器的脉冲宽度选择在1～10ms之间，通过在线视频系统(1)调整聚焦透镜(2)，在确定激光束焦点位置(4)后，移动激光束焦点位置(4)使离焦量f在15～25mm之间；设定激光束(3)的扫描路径(7)的起点位置为距薄硅片(5)一侧外3～5mm处、终点为距薄硅片(5)另一侧外3～5mm；最后调试激光参数，使线能量密度在0.3～1.0J/mm之间，并按照实际需要确定扫描次数；

C、按照预先设定好的扫描路径(7)，对薄硅片(5)进行扫描；扫描过程中薄硅片(5)发生弯曲，最终弯曲角度的大小取决于扫描次数的多少，扫描次数越多则弯曲角度越大，直到达到弯曲成形的要求。

2.根据权利要求1所述的一种薄硅片的弯曲成形方法，其特征在于：所述的Nd:YAG脉冲激光器为JK701H型脉冲激光器。