[发明专利]信息处理装置及其处理方法和半导体制造系统有效
| 申请号: | 201010601253.6 | 申请日: | 2007-05-31 |
| 公开(公告)号: | CN102096412A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
| 发明(设计)人: | 小山典昭;小幡穣;王文凌 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | G05B23/02 | 分类号: | G05B23/02;H01L21/00 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 信息处理 装置 及其 处理 方法 半导体 制造 系统 | ||
1.一种信息处理装置,该信息处理装置处理作为关于对包含半导体的处理对象物进行处理的半导体制造装置的处理时状态的值的状态值,其特征在于,包括:
接受所述状态值的状态值接受部;
能够存储作为成为所述状态值的基准的值的基准值的基准值存储部;
能够存储作为用于判断所述状态值是否是所要值的值的阈值的阈值存储部;
算出关于状态值接受部接受的所述状态值和所述基准值之差的值与关于所述阈值和所述基准值之差的值之比的算出部;和
输出所述算出部已算出的比的输出部。
2.根据权利要求1所述的信息处理装置,其特征在于:
所述状态值接受部接受尺度不同的多个状态值;
所述算出部算出分别与所述尺度不同的多个状态值对应的所述比;
所述输出部输出所述算出部已算出的多个比。
3.根据权利要求2所述的信息处理装置,其特征在于:
所述尺度不同的多个状态值是所述半导体制造装置内的温度测定值和所述半导体制造装置内的压力测定值或对它们已进行统计处理的值。
4.根据权利要求3所述的信息处理装置,其特征在于:
所述尺度不同的多个状态值进一步包含导入到所述半导体制造装置内的气体流量的测定值或对测定值已进行统计处理的值。
5.根据权利要求1所述的信息处理装置,其特征在于:
所述算出部用于比算出的阈值是在根据所述基准值分割成两个范围的所述状态值取得的值的范围中的、所述状态值所属的范围内的值。
6.根据权利要求1所述的信息处理装置,其特征在于:
所述状态值是所述半导体制造装置内的温度测定值或对测定值已进行统计处理的值。
7.根据权利要求1所述的信息处理装置,其特征在于:
所述状态值是所述半导体制造装置内的压力测定值或对测定值已进行统计处理的值。
8.根据权利要求1所述的信息处理装置,其特征在于:
所述状态值是导入到所述半导体制造装置内的气体流量的测定值或对测定值已进行统计处理的值。
9.一种半导体制造系统,该半导体制造系统具备对包含半导体的处理对象物进行处理的半导体装置和根据权利要求1所述的信息处理装置,其特征在于:
所述半导体制造装置包括:
取得所述状态值的处理状态值取得部;和
输出所述状态值的处理输出部。
10.根据权利要求9所述的半导体制造系统,其特征在于:
所述半导体制造装置进一步包括:
对所述处理对象物进行处理的处理容器;和
检测所述处理容器内的温度的1个以上的温度检测部,其中,
所述处理状态值取得部取得作为所述温度检测部检测出的温度值或作为对该值已进行统计处理的值的状态值。
11.根据权利要求9所述的半导体制造系统,其特征在于:
所述半导体制造装置进一步包括:
对所述处理对象物进行处理的处理容器;和
检测所述处理容器内的压力的压力检测部,其中,
所述处理状态值取得部取得作为所述压力检测部检测出的压力值或作为对该值已进行统计处理的值的状态值。
12.根据权利要求9所述的半导体制造系统,其特征在于:
所述半导体制造装置进一步包括:
对所述处理对象物进行处理的处理容器;和
检测导入到所述处理容器内的气体流量的气体流量检测部,其中,
所述处理状态值取得部取得作为所述气体流量检测部检测出的气体流量值或作为对该值已进行统计处理的值的状态值。
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