[发明专利]金属有机化学气相沉积设备及其腔室组件有效
申请号: | 201010599492.2 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102560431A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 徐亚伟 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张大威 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 有机化学 沉积 设备 及其 组件 | ||
1.一种腔室组件,其特征在于,包括:
腔室本体,所述腔室本体包括反应腔室,且所述腔室本体还包括用于向所述反应腔室供气的进气通道和用于从所述反应腔室排出气体的排气通道;和
设置于所述反应腔室内的第一托盘和第二托盘,且所述第一托盘的晶片承载面与所述第二托盘的晶片承载面相对。
2.如权利要求1所述的腔室组件,其特征在于,还包括:
第一转轴,所述第一转轴与所述第一托盘相连,用于旋转所述第一托盘;和
第二转轴,所述第二转轴与所述第二托盘相连,用于旋转所述第二托盘。
3.如权利要求1所述的腔室组件,其特征在于,还包括:
第一加热部件,所述第一加热部件用于加热所述第一托盘;和
第二加热部件,所述第二加热部件用于加热所述第二托盘。
4.根据权利要求3所述的腔室组件,其特征在于,所述第一加热部件和所述第二加热部件为电阻加热元件,其中,所述第一加热部件与所述第一托盘的上表面接触,且所述第二加热部件与所述第二托盘的下表面接触。
5.根据权利要求3所述的腔室组件,其特征在于,所述第一加热部件和所述第二加热部件为感应加热线圈,且所述第一加热部件与所述第一托盘的上表面之间以及所述第二加热部件与所述第二托盘的下表面之间分别具有预定间隔,其中,在所述第一加热部件与所述第一托盘的上表面之间以及在所述第二加热部件与所述第二托盘的下表面之间分别设有隔离件。
6.根据权利要求5所述的腔室组件,其特征在于,所述隔离件包括石英或陶瓷。
7.根据权利要求1所述的腔室组件,其特征在于,还包括:
第三转轴,所述第一托盘和第二托盘分别套接在所述第三转轴之上,所述第三转轴用于旋转所述第一托盘和第二托盘。
8.根据权利要求1所述的腔室组件,其特征在于,还包括:
第三感应加热部件,所述第三感应加热部件均匀地分布在所述反应腔室的内周壁上,用于加热所述第一托盘和第二托盘。
9.根据权利要求2所述的腔室组件,其特征在于,所述第二转轴具有轴向通孔,所述进气通道穿过所述轴向通孔及所述第二托盘并延伸至所述第一托盘和第二托盘之间以向所述反应腔室供气。
10.根据权利要求9所述的腔室组件,其特征在于,还包括:
进气分配部件,所述进气分配部件包括分配管和多个分配盘,所述分配管的下端穿过所述第二托盘的中心孔配合在所述第二转轴的轴向通孔内,所述分配管的上端封闭且伸到所述第一托盘和所述第二托盘之间的空间内,所述多个分配盘分别设置于所述分配管的上端且沿所述分配管的竖直方向彼此间隔开,其中,在相邻分配盘之间的所述分配管的壁上设有多个分配孔。
11.根据权利要求9或10所述的腔室组件,其特征在于,所述排气通道包括:
沿所述反应腔室的周向间隔形成在所述反应腔内壁上的多个排气孔;
形成在所述反应腔内壁和反应腔外壁之间的排气通路,所述排气通路具有通向所述反应腔室外面的排气口,其中,每个排气孔的内端与所述反应腔室连通且每个排气孔的外端与所述排气通路连通。
12.根据权利要求11所述的腔室组件,其特征在于,所述多个排气孔位于所述第一托盘与所述第二托盘之间。
13.根据权利要求2所述的腔室组件,其特征在于,还包括:
进气环,所述进气环内设有进气流动通道,所述进气流动通道具有位于所述反应腔室外面的进气环进气孔和位于所述反应腔室的进气环出气孔,其中,所述进气通道由所述进气环进气孔、所述进气环出气孔和所述进气流动通道构成。
14.根据权利要求13所述的腔室组件,其特征在于,所述进气环与反应腔内壁平齐,且所述进气环位于所述第一托盘和所述第二托盘之间。
15.根据权利要求14所述的腔室组件,其特征在于,所述进气环包括多组进气环出气孔,所述多组进气环出气孔沿所述进气环的周向间隔设置,且每一组内的进气环出气孔沿竖直方向间隔设置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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