[发明专利]太阳能晶片的掺杂方法以及掺杂晶片

权利要求书

1.一种太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：

步骤S₁、在N型基底表面形成N+型掺杂层；

步骤S₂、在该N+型掺杂层表面形成掺杂阻挡层；

步骤S₃、在该掺杂阻挡层表面形成具有图样的薄膜，其中，未被该具有图样的薄膜覆盖的区域为开放区域；

步骤S₄、蚀刻去除该开放区域的掺杂阻挡层以及N+型掺杂层，并在该具有图样的薄膜下方靠近该开放区域的一端的该掺杂阻挡层和N+型掺杂层中形成侧蚀，其中蚀刻深度至少为该掺杂阻挡层和该N+型掺杂层厚度的总和；

步骤S₅、加速P型离子并通过离子注入的方式将该P型离子从该N型基底的表面的该开放区域注入至N型基底中以形成P+型掺杂区域，其中，该P+型掺杂区域与该未经蚀刻的N+型掺杂层互不接触；

步骤S₆、去除该具有图样的薄膜以及该掺杂阻挡层，

其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

2.如权利要求1所述的太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，步骤S₁中通过热扩散或者离子注入的方式形成该N+型掺杂层，其中该N+型掺杂层的方块电阻为20-100Ω/□。

3.如权利要求1所述的太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，步骤S₂中通过CVD的方法形成该掺杂阻挡层，其中该掺杂阻挡层的厚度大于1μm，该掺杂阻挡层为二氧化硅、非晶硅、多晶硅或氮化硅薄膜。

4.如权利要求1所述的太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，步骤S₃中通过丝网印刷的方式形成该具有图样的薄膜，其中该具有图样的薄膜由合成橡胶或金属制成。

5.如权利要求1所述的太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，步骤S₄中采用湿法化学法蚀刻去除该开放区域的掺杂阻挡层以及N+型掺杂层。

6.如权利要求1所述的太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，步骤S₄中所形成的侧蚀的深度至少为2μm。

7.如权利要求1所述的太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，步骤S₅中该P型离子被加速至500eV-50keV，所形成的P+型掺杂区域的方块电阻为40-120Ω/□。

8.如权利要求1-7中任意一项所述的太阳能晶片的掺杂方法，其特征在于，步骤S₅之后还包括退火步骤，退火温度为700-1100℃，退火时间为30秒-30分钟。

9.一种按照如权利要求1所述的太阳能晶片的掺杂方法制得的掺杂晶片，其特征在于，该掺杂晶片包括：

一N型基底；

形成于该N型基底表面的至少一个N+型掺杂区域；

形成于该N型基底中的P+型掺杂区域；

其中，该N+型掺杂区域与该P+型掺杂区域互不接触，

其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。

10.如权利要求9所述的掺杂晶片，其特征在于，该N型基底具有凹槽，该P+型掺杂区域形成于该N型基底的凹槽中。

11.如权利要求9或10所述的掺杂晶片，其特征在于，该N+型掺杂区域与该P+型掺杂区域的最小距离至少为2μm。

12.如权利要求9或10所述的掺杂晶片，其特征在于，该N+型掺杂区域的方块电阻为20-100Ω/□。

13.如权利要求9或10所述的掺杂晶片，其特征在于，该P+型掺杂区域的方块电阻为40-120Ω/□。