[发明专利]自对准金属硅化物的形成方法

权利要求书

1.一种自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅堆叠结构，所述栅堆叠结构两侧的半导体衬底中形成有源区和漏区；

在所述半导体衬底上、所述栅堆叠结构的侧壁形成牺牲侧墙；

形成金属层，覆盖所述半导体衬底、栅堆叠结构和牺牲侧墙的表面；

对所述半导体衬底进行热处理，使所述金属层与所述源区、漏区的半导体衬底以及牺牲侧墙之间发生反应；

去除所述牺牲侧墙和未反应的金属层。

2.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底、硅锗衬底、III-V族元素化合物衬底或绝缘体上硅结构。

3.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料选自钛、钴、镍、镍铂合金、镍钴合金或镍铂钴合金其中之一。

4.根据权利要求3所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的材料选自锗、锡或硅化锗。

5.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，使用湿法刻蚀去除所述牺牲侧墙。

6.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，使用湿法刻蚀去除所述未反应的金属层。

7.根据权利要求5或6所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀中使用的反应溶液包括H₂O₂，HCl，H₂SO₄，NH₄OH中的一种或其中任意几种的混合物。

8.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底上、所述栅堆叠结构的侧壁形成牺牲侧墙包括：

形成牺牲层，覆盖所述半导体衬底的表面以及所述栅堆叠结构的表面和侧壁；

对所述牺牲层进行回刻，去除所述半导体衬底表面和栅堆叠结构表面的牺牲层，在所述栅堆叠结构的侧壁形成牺牲侧墙。

9.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述栅堆叠结构包括前栅工艺中的栅介质层、位于所述栅介质层上的栅电极以及位于所述栅介质层和栅电极侧壁的介质侧墙，所述牺牲侧墙形成于所述介质侧墙的外侧侧壁上。

10.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述栅堆叠结构包括前栅工艺中的栅介质层和位于所述栅介质层上的栅电极，所述牺牲侧墙形成于所述栅介质层和栅电极的侧壁，在去除所述牺牲侧墙之后，还包括：

在所述栅介质层和栅电极的侧壁形成介质侧墙。

11.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述栅堆叠结构包括后栅工艺中的伪栅电极和位于所述伪栅电极侧壁的介质侧墙，所述牺牲侧墙形成于所述介质侧墙的外侧侧壁上。

12.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，所述栅堆叠结构包括后栅工艺中的伪栅电极，所述牺牲侧墙形成于所述伪栅电极的侧壁，在去除所述牺牲侧墙之后，还包括：

在所述伪栅电极的侧壁形成介质侧墙。

13.根据权利要求1所述的自对准金属硅化物的形成方法，其特征在于，经过所述热处理之后，所述牺牲侧墙上方的金属层全部或部分与所述牺牲侧墙发生反应。