[发明专利]一种保证仲钨酸铵结晶纯度并提高结晶率的方法有效
申请号: | 201010598514.3 | 申请日: | 2010-12-21 |
公开(公告)号: | CN102531061A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 吴冲浒;马丽丽;文晓 | 申请(专利权)人: | 厦门钨业股份有限公司 |
主分类号: | C01G41/00 | 分类号: | C01G41/00 |
代理公司: | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人: | 李宁 |
地址: | 361000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 保证 仲钨酸铵 结晶 纯度 提高 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种在仲钨酸铵(APT)结晶过程中保证产品APT纯度并提高料液结晶率的方法。
背景技术
历来,钨钼分离就被认为是分离学科领域中的一项技术难度很大的课题(参见张启修, 龚柏凡,所著“钨钼分离方法的研究及应用选择”,《中国钨业》, 1996, 5, 16~18.),特别是从高浓度的钨(或钼)中分离微量的钼(或钨)的难度更大。
一般在仲钨酸铵(APT)结晶工序前,对料液进行预先除钼,但这样得到的钨酸铵溶液中仍含有一定浓度的钼,需要借助APT的结晶过程进一步除钼,从而获得较为纯净的APT结晶产品。值得指出的是,结晶过程杂质的除杂率与APT的结晶率直接相关,随着APT结晶率的升高,杂质析出率迅速增加,其中以Mo尤为严重,对于同浓度溶液,当钨的结晶率由60%提高到80%时,钼的结晶析出率会增加近3倍。因此生产中往往以牺牲APT的一次结晶率为代价来获得纯度较高的仲钨酸铵结晶,致使一次结晶率都难以突破80%。
APT结晶过程中杂质离子Mo的共沉淀析出是APT结晶率及结晶纯度难以提高的症结所在。20世纪80年代中后期,有人提出在APT结晶过程中加入一定量的(NH4)2S,使溶液中的钼转变为水溶性较大的硫代钼酸铵((NH4)2MoS4)对钼的析出有一定抑制作用(参见赖高惠的“钨溶剂萃取专利综述”,《稀有金属》,1985, 12(5): 67,以及龚柏凡, 黄蔚庄, 张启修的“在APT结晶过程中抑制钼析出的研究”,《钨钼科技》,1986, 3~7),但实践表明,此法的效果并不理想,APT的一次结晶率控制在94.8%时,产品中钼的含量仍达到了5.5×10-5之高,而且方法本身引入了严重的硫离子污染。20世纪90年代张启修等(参见张启修, 黄蔚庄, 龚柏凡的离子交换一步分离磷, 砷, 硅, 钼制取纯钨酸铵工艺. 中国, CN1084575. 1994.)提出通过离子交换除钼获得低Mo含量的钨酸铵溶液的方法,从而达到降低APT产品中Mo含量并提高料液结晶率的目的。但是此方法几经优化后(参见张启修, 肖连生, 龚柏凡. 一步离子交换法生产APT新工艺的沿革与现状. 中国钨业, 2000, 15(1): 23-25),也只能达到在满足国标APT-0质量指标的前提下,将APT的一次结晶率提高到94~95%。
发明内容
本发明的目的在于提供一种保证仲钨酸铵结晶纯度并提高结晶率的方法,在APT结晶过程中抑制钨酸铵溶液中钼的共沉淀析出,以达到在提高溶液结晶率的同时实现纯度高,钼含量较低的APT产品生产的目的,从而更好地实现钨湿法冶金过程中的钨钼分离。
为了达成上述目的,本发明的解决方案是:
一种保证仲钨酸铵结晶纯度并提高结晶率的方法,将pH值不低于12、含Mo离子的钨酸铵溶液作为结晶料液,在真空搅拌式蒸发结晶器中进行仲钨酸铵的结晶,结晶之前调节料液中的Cl-为过量,实现在APT结晶过程中充分抑制Mo析出的目的,不仅有利于高纯度APT产品的制备,同时也提高了料液的一次结晶率。
其中,所述钨酸铵溶液为经离子交换除杂后得到的溶液,溶液中含WO3浓度在100~400 g/L范围内,Mo含量在0.05~0.15 g/L,其它杂质含量均在仲钨酸铵纯度要求范围内,均符合生产高纯APT(GB/T 10116-2007 APT-0)的控制范围。
为达到抑制Mo析出的目的,所述的钨酸铵溶液中含2~13 g/L的Cl-。
所述调节料液中Cl-浓度的试剂为:各种氯化盐(NaCl、NH4Cl、KCl等有机或无机氯化盐)或其相应溶液。
所述调节控制后料液中Cl-的浓度控制在11~16g/L。
采用上述方案后,本发明通过调节离子交换后的钨酸铵溶液中的Cl-浓度,使过量的Cl-与溶液中存在的少量Mo发生反应生成:MoO2Cl2或NH4MoO2Cl3等易溶于水的络合物,从而达到在APT结晶过程中抑制结晶料液中Mo的共沉淀析出的目的,从而实现了APT结晶过程中的高效钨钼分离。
本方法的特征为:
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