[发明专利]半导体器件和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

光电转换层；

金属微结构体，所述金属微结构体为连续或非连续的筒状并埋置于所述光电转换层中；以及

介电膜，所述介电膜覆盖着所述金属微结构体的内侧表面和外侧表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述金属微结构体由当与光耦合时具有负介电常数的金属材料形成，并且

所述介电膜由折射率的实部为3.0以下的介电材料形成。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，在所述金属微结构体的顶面上和底面上形成有透光层，所述透光层由与所述光电转换层的材料相同的材料制成。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件，其中，

所述金属微结构体的内部直径或当从上方看时所述金属微结构体所具有的内部长度处于100nm至1.0μm的范围内，

所述金属微结构体的厚度处于10nm至100nm的范围内，并且

所述金属微结构体的总长度处于20nm至3.0μm的范围内。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件，还包括用于覆盖所述金属微结构体的顶端面和底端面的介电膜，该介电膜由与用于覆盖所述金属微结构体内侧表面和外侧表面的介电膜的材料相同的材料制成。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，还包括设置在所述光电转换层中的pn结，所述pn结在所述金属微结构体的沿纵长方向的中间处与所述金属微结构体呈十字交叉地延伸。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，还包括摄像区域，所述摄像区域由多个像素构成的阵列形成，

并且，在所述多个像素的每一者的所述光电转换层中都埋置有多个所述金属微结构体，这样所述半导体器件被形成为固体摄像器件。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述多个像素包括红色像素、绿色像素以及蓝色像素，

位于所述绿色像素处的所述金属微结构体的直径被设为小于位于所述红色像素处的所述金属微结构体的直径，并且

位于所述蓝色像素处的所述金属微结构体的直径被设为小于位于所述绿色像素处的所述金属微结构体的直径。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括滤色器，所述滤色器设置在所述摄像区域上。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体器件，其中，

所述光电转换层含有pn结，并且

所述金属微结构体以延伸穿过所述pn结的方式埋置于所述光电转换层中，这样所述半导体器件被形成为太阳能电池。

11.一种电子装置，其包括：

根据权利要求7至9中任一项所述的被形成为固体摄像器件的半导体器件；以及

信号处理电路，所述信号处理电路用于对从所述半导体器件输出的信号进行处理。