[发明专利]半导体元件和用于制造半导体元件的方法

权利要求书

1.一种半导体元件，所述半导体元件包括：

半导体基板；以及

半导体器件，它被设置在所述半导体基板上，

所述半导体器件是场效应晶体管且包括：被设置在所述半导体基板上的栅极绝缘膜；被设置在所述栅极绝缘膜上的栅极电极；以及被设置成夹着所述半导体基板上的所述栅极电极的一对源极区域和漏极区域，

所述半导体基板包括在设有所述栅极电极的部分中的图形化表面，

所述半导体基板的图形化表面包括凸部，在所述凸部处，所述栅极绝缘膜被形成为覆盖与所述一对源极区域和漏极区域的表面处于相同平面上的表面，且所述栅极电极形成在所述栅极绝缘膜的顶面上，并且

所述半导体基板的图形化表面包括凹部，在所述凹部处，所述栅极绝缘膜被形成为覆盖比所述一对源极区域和漏极区域的表面更朝内部而形成的凹槽的表面，且所述栅极电极被形成为填充设有所述栅极绝缘膜的所述凹槽。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，所述半导体基板的图形化表面上的所述凹槽具有沿着所述半导体基板的深度方向的侧面。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中，所述半导体基板的图形化表面上的所述凹槽具有相对于所述半导体基板的深度方向倾斜的表面。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其中，所述半导体基板的图形化表面上的所述凹槽的倾斜表面位于(111)面上。

5.如权利要求1所述的半导体元件，其中，对于所述半导体基板的图形化表面上的所述凸部和所述凹部而言，所述一对源极区域和漏极区域具有相同的形状。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中，在所述半导体基板的图形化表面上的所述凸部和所述凹部中，所述一对源极区域和漏极区域具有平坦顶面，并且在所述半导体基板中具有相同的深度。

7.一种用于制造半导体元件的方法，

所述方法包括形成场效应晶体管半导体器件的半导体器件形成步骤，所述半导体器件包括：被设置在半导体基板上的栅极绝缘膜；被设置在所述栅极绝缘膜上的栅极电极；以及被设置成夹着所述半导体基板上的所述栅极电极的一对源极区域和漏极区域，

所述半导体器件形成步骤在所述半导体基板的设有所述栅极电极的部分中形成图形化表面，

其中，在所述半导体基板的图形化表面上的凸部中，所述栅极绝缘膜被形成为覆盖与所述一对源极区域和漏极区域的表面处于相同平面上的表面，且所述栅极电极形成在所述栅极绝缘膜的顶面上，并且

在所述半导体基板的图形化表面上的凹部中，所述栅极绝缘膜被形成为覆盖比所述一对源极区域和漏极区域的表面更朝内部而形成的凹槽的表面，且所述栅极电极被形成为填充设有所述栅极绝缘膜的所述凹槽。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述半导体器件形成步骤包括：

第一步骤，在所述半导体基板的要形成所述半导体器件的所述栅极绝缘膜和所述栅极电极的部分的表面上，形成伪栅极绝缘膜并在所述伪栅极绝缘膜上形成伪栅极电极，并且形成所述半导体器件的所述一对源极区域和漏极区域，使所述一对源极区域和漏极区域夹着所述伪栅极电极；

第二步骤，在所述半导体基板的表面上形成平坦化膜，使所述伪栅极电极的顶面暴露出，并且覆盖所述一对源极区域和漏极区域的顶面；

第三步骤，除去所述伪栅极电极和所述伪栅极绝缘膜，使已经除去了所述伪栅极电极和所述伪栅极绝缘膜的表面上的所述半导体基板露出，并且在露出的表面部分中形成开口；

第四步骤，蚀刻所述半导体基板的所述开口的表面以设置所述凹槽，并且在所述半导体基板上形成所述图形化表面；

第五步骤，在所述半导体基板的图形化表面上沉积绝缘膜以形成所述栅极绝缘膜；以及

第六步骤，在形成于所述图形化表面上的所述栅极绝缘膜上沉积导电膜以形成所述栅极电极。

9.如权利要求7所述的方法，其中，对于所述半导体基板的图形化表面上的所述凸部和所述凹部而言，所述一对源极区域和漏极区域以相同形状形成。