[发明专利]一种制作大功率场效应晶体管的方法

权利要求书

1.一种制作大功率场效应晶体管的方法，其特征在于包括如下的步骤：

步骤1：在第一n型硅片上进行第一次外延，生长阳极区域P+；

步骤2：进行选择性离子注入和扩散，形成栅区P+；

步骤3：取第二n型硅片，通过硅-硅直接键合，在栅极上形成n-层；

步骤4：通过刻蚀和欧姆接触，引出栅极、阴极和阳极。

2.如权利要求1所述的制作大功率场效应晶体管的方法，其特征在于：

所述步骤3进一步包括如下的子步骤：

首先，对所述第二n型硅片和所述第一n型硅片进行预处理；

其次，对预处理过的所述第二n型硅片和所述第一n型硅片进行退火处理；

然后，对退火处理过的所述第二n型硅片与所述第一n型硅片进行键合操作。

3.如权利要求2所述的制作大功率场效应晶体管的方法，其特征在于：

所述预处理包括对硅片进行抛光处理，并对抛光处理后的硅片进行亲水处理。

4.如权利要求2所述的制作大功率场效应晶体管的方法，其特征在于：

所述退火处理包括在780～820℃、Ar气氛中退火25～35分钟。

5.如权利要求4所述的制作大功率场效应晶体管的方法，其特征在于：

所述退火处理的温度为800℃，时间为30分钟。

6.如权利要求2所述的制作大功率场效应晶体管的方法，其特征在于：

所述键合操作在低温下进行。

7.如权利要求1所述的制作大功率场效应晶体管的方法，其特征在于：

所述第二n型硅片与所述第一n型硅片的晶向相同。

8.如权利要求1、2、6或7所述的制作大功率场效应晶体管的方法，其特征在于：

所述键合操作的过程中，所述第二n型硅片与所述第一n型硅片的基准面对齐角度不大于0.5度。

9.如权利要求1～6中任意一项所述的制作大功率场效应晶体管的方法，其特征在于：

所述步骤2完成之后，所述第一n型硅片在氮气环境下随炉冷却至室温。