[发明专利]双向高压瞬态抑制二极管

说明书

技术领域

本发明属于半导体器件领域，特别涉及一种双向高压瞬态抑制二极管的结构。

背景技术

双向瞬态抑制二极管一般用于保护电路中，其功能是它能吸收浪涌电流，抑制穿通瞬态电压，快速保护负载。随着太阳能发电技术的发展，大功率高电压太阳能电站的输变电技术对瞬态高电压的抑制要求越来越高，例如防雷击，防过载等，急切需要一种双向高击穿电压的瞬态抑制器件。据国内外文献资料提供的信息，传统的双向瞬态抑制二极管的制作方法采用的均是在半导体材料中分区域掺杂的化学方法，工艺十分复杂，制造成本高，生产时产品的电参数难以控制，特别是因该制造方法的局限性，目前市场上提供的双向瞬态抑制二极管的最大钳位电压为500-600V左右，不能提供抑制更高穿通电压的双向瞬态抑制二极管，无法满足太阳能发电技术的需求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种工艺简单，制造成本低，电参数易于控制且能抑制更高穿通电压的双向瞬态抑制二极管。

为了达到上述目的，本发明的技术方案是，一种双向高压瞬态抑制二极管，包括二极管管芯、焊片、引线、包胶层和塑封体，引线的引线头内端面与二极管管芯一端的焊片相连接，二极管管芯的外周设有包胶层，引线头和包胶层的外围具有塑封体；且

a、二极管管芯包括第一组二极管芯片组和第二组二极管芯片组;

b、第一组二极管芯片组包括n片瞬态抑制二极管芯片和焊片，该n片瞬态抑制二极管芯片按同向极性顺序排列, 且由焊片连接; 

c、第二组二极管芯片组包括m片瞬态抑制二极管芯片，该m片瞬态抑制二极管芯片按同向极性顺序排列，且由焊片连接;

d、第一组二极管芯片组的n片瞬态抑制二极管芯片的极性与第二组二极管芯片组的m片瞬态抑制二极管芯片的极性方向相反，且第一组二极管芯片组和第二组二极管芯片组之间由焊片连接;

e、其中n和m均为大于1的正整数。

所述第一组二极管芯片组的n片瞬态抑制二极管芯片与第二组二极管芯片组的m片瞬态抑制二极管芯片的个数相等, 也即n等于m。

所述塑封体为圆柱体，或为方形柱体, 所述包胶层为硅胶包胶，塑封体为环氧树脂塑封。

所述第一组二极管芯片组包括2片瞬态抑制二极管芯片, 第二组二极管芯片组亦包括2片瞬态抑制二极管芯片。

本发明与现有技术相比具有以下优点: 双向瞬态抑制二极管管芯的制造方法是将瞬态抑制二极管芯片分成二组，第一组二极管芯片组内的n片瞬态抑制二极管芯片按同向极性顺序排列, 且由焊片连接，第二组二极管芯片组内的m片瞬态抑制二极管芯片按同向极性顺序排列, 且由焊片连接，然后将第一组二极管芯片组的n片瞬态抑制二极管芯片的极性与第二组二极管芯片组的m片瞬态抑制二极管芯片的极性方向相反，再由焊片连接；基本采用传统二极管的工艺流程和制造技术，生产厂无需增加新的生产设备，就能投入生产，工艺简单，制造成本低，又因该二极管芯片改变了原二极管单向抑制为双向抑制的特性，且叠加的两组芯片的个数均大于1，又提高了材料的耐压性能，电参数也易于控制，此外，通过更多芯片的叠加，可以按照用户需求增加提高双向钳位电压的能力，能够抑制更高的穿通电压，进一步的满足了太阳能发电技术的需求。

附图说明

图1是本发明实施例1的结构剖视示意图；

图2是本发明实施例2的结构剖视示意图；

图3是本发明实施例3的结构剖视示意图；

图4是本发明实施例4的结构剖视示意图。

具体实施方式

以下结合附图给出的实施例对本发明作进一步详细地说明。

实施例1：