[发明专利]锗硅异质结NPN三极管器件及制造方法

权利要求书

1.一种锗硅异质结NPN三极管器件，形成于P型硅层衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述锗硅异质结NPN三极管器件包括：

一集电区，由形成于所述有源区中的一N型离子注入区组成，所述集电区深度大于所述浅槽场氧底部的深度；

一赝埋层，由形成于所述有源区两侧的浅槽场氧底部的N型离子注入区组成，所述赝埋层在所述有源区的底部边缘和所述集电区形成连接，通过在所述赝埋层顶部的浅槽场氧形成的深孔接触引出集电极；

一P型锗硅外延层，形成于所述硅衬底的所述有源区和所述浅槽场氧上，形成于所述有源区上的所述P型锗硅外延层和所述集电区形成接触；在所述P型锗硅外延层上依次形成有P型硅层和氮化硅层；

一发射极窗口，通过刻蚀部分所述P型硅层和所述氮化硅层形成，所述发射极窗口位于所述有源区上方的中间区域且所述发射极窗口的尺寸小于所述有源区的尺寸；在所述发射极窗口的内侧壁上形成有内侧墙；

由所述发射极窗口正下方的所述P型锗硅外延层组成本征基区；由所述发射极窗口外部的所述P型锗硅外延层及所述P型硅层组成外基区；通过在所述外基区的上部形成的金属接触引出基极；

一发射区，由完全填充于形成有所述内侧墙的所述发射极窗口内并在顶部延伸到所述发射极窗口外部的氮化硅层上的N型多晶硅组成；通过在所述发射区的上部形成的金属接触引出发射极。

2.如权利要求1所述锗硅异质结NPN三极管器件，其特征在于：所述集电区的N型离子注入工艺条件为：注入杂质为磷或砷、注入能量为50keV～500keV、注入剂量5e11cm^-2～5e13cm^-2。

3.如权利要求1所述锗硅异质结NPN三极管器件，其特征在于：所述赝埋层是在浅沟槽形成后、浅槽场氧填入前通过N型离子注入并进行退火推进形成，所述赝埋层的N型离子注入工艺条件为：注入剂量1e14cm^-2～5e15cm^-2，注入能量2KeV～30KeV。

4.如权利要求1所述锗硅异质结NPN三极管器件，其特征在于：所述发射区的所述N型多晶硅通过离子注入进行掺杂，工艺条件为：注入杂质为磷或砷、注入能量条件为10Kev～100Kev、注入剂量为1e14cm^-2～1e17cm^-2。

5.如权利要求1所述锗硅异质结NPN三极管器件，其特征在于：所述P型锗硅外延层的掺杂杂质为在位掺杂的硼，体浓度为1e19cm^-3～1e20cm^-3；所述外基区的所述P型硅层掺有离子注入杂质，工艺条件为：注入杂质为硼或氟化硼、注入能量为2Kev～30Kev、注入剂量为5e14cm^-2～5e16cm^-2。