[发明专利]金属基底板发光芯片封装结构有效
申请号: | 201010594917.0 | 申请日: | 2010-12-10 |
公开(公告)号: | CN102437267A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 李刚 | 申请(专利权)人: | 奉化市匡磊半导体照明有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/64;H01L33/62;H01L33/52 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 林俭良 |
地址: | 315500 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 基底 发光 芯片 封装 结构 | ||
技术领域
本发明涉及芯片封装结构,更具体地说,涉及一种发光芯片的封装结构。
背景技术
随着发光芯片,例如二极管(LED)芯片,发光效率的提升,LED正从传统的点线面为特征的指示和显示类应用领域向大尺寸液晶背光和室内室外普通照明类应用领域拓展。
现有的一种用于大功率LED封装的常见封装结构如图1所示,该封装结构包括LED芯片基座101、LED芯片102、金属引线103a和103b、电极片104a和104b和绝缘塑胶反射杯105。绝缘塑胶反射杯105通常采用高分子材料中耐热性相对较好的热塑性聚脂,如聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT),和高温塑胶,如聚对苯二酰对苯二胺(PPA),注塑成形。改性的聚对苯二酰对苯二胺塑胶的热变形温度约300℃,连续使用温度约170℃。显然,高分子材料的耐热温度限制了上述支架的最大可承受温度和最高可持续工作温度。
通常的共晶焊温度在285℃-320℃。由于采用上述高分子塑胶或聚脂绝缘材料的上述支架的最大可承受温度仅300℃左右,使得共晶材料的选择受到了很大的局限,共晶条件也变得十分苛刻,如温度控制必须十分精确,共晶时间不能太长等,导致共晶焊技术要求高、成本高和良率低。此外,由于高分子材料抗紫外和抗高低温冲击的能力很差,使得上述支架如图1中的绝缘塑胶反射杯105在紫外光照射和高低温冲击较为恶劣的露天场合下使用时会加快老化,导致LED的使用寿命很短,应用产品的可靠性也就很差。
对采用金属芯或陶瓷芯印刷电路板(MCPCB)制作的大功率LED支架虽然能提供较大的底表面作为导热面与其它散热机构连接,但印刷电路板上用于电极间绝缘的高分子树脂材料同样限制了上述大功率支架的使用温度。上述树脂对抗紫外光照射和高低温冲击的能力也很差,使得上述大功率LED支架在紫外光照射和高低温冲击较为恶劣的露天场合下使用时会加快老化,导致LED的使用寿命很短,应用产品的可靠性也就很差。上述起绝缘层作用的高分子树脂材料,通常是50~200um。若太厚,能起绝缘作用,防止与金属基短路的效果好,但会影响热量的散发;若太薄,能较好散热,但易引起金属芯与组件引线短路。
对采用陶瓷散热基板,包括厚膜陶瓷基板,低温共烧多层陶瓷,和薄膜陶瓷基板,制作的大功率LED支架虽然能提供较大的底表面作为导热面与其它散热机构连接,陶瓷材料的散热性能也优于其它有机材料,但其不导电性要求在基板表面通过网印或溅镀,电/电化学沉积,黄光制程以及低温烧结等工艺制造导电连接金属线路层。网印方式制作的线路因为网版张网问题,容易产生线路粗糙、对位不精准的现象,溅镀,电/电化学沉积,黄光制程工艺复杂,金属线路易脱落等缺点。
很显然,现在被广泛使用的用于LED封装的支架存在本质上的缺陷。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,提供一种结构简单、耐高电压、抗紫外、耐高温、散热效果良好的发光芯片封装结构。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是一种发光芯片封装结构,包括至少一基板单元、在所述基板单元上设置至少一固晶区、安装在所述固晶区上的至少一发光芯片、以及在所述基板单元上设置相互隔绝的至少两个可与外界实现导电连接的基板电极;所述基板单元包括至少一金属基底板、在所述金属基底板上至少有一绝缘隔板、以及在所述绝缘隔板的上表面至少有两个彼此隔绝的导电薄层或导电顶板;所述发光芯片通过所述导电薄层或导电顶板与所述基板电极电连接。
在本发明的发光芯片封装结构中,所述绝缘隔板至少有一开口,所述开口所对应的所述金属基底板表面包括至少一放置所述芯片的所述固晶区;所述固晶区表面及其裸露的所述金属基底板表面可设置至少一金属层或至少一反射膜;所述绝缘隔板开口侧壁构成所述发光芯片的第一出光空间、第一灌封围堰和第一反光侧壁;所述绝缘隔板开口侧壁包括与所述固晶区表面垂直的光滑表面、和/或与所述固晶区表面成大于90度夹角的光滑斜面、和/或自所述固晶区表面向上延伸的光滑弧面;所述绝缘隔板开口侧壁表面可设置至少一反射膜;所述第一灌封围堰内可设置至少一第一灌封层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奉化市匡磊半导体照明有限公司,未经奉化市匡磊半导体照明有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010594917.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。