[发明专利]OTP器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，更具体地说，涉及一种OTP器件制造方法。

背景技术

OTP(One Time Programable，一次性可编程)器件是一种存储器件，它是相对于多次性编程而言的，其编程过程是不可逆的活动，它适合程序固定不变的应用场合，因为成本较低而得到广泛的应用。

OTP器件的一个平面单元(flat cell)内主要包括两个晶体管，一个是浮栅晶体管，另一个是选择晶体管；其中，所述选择晶体管的漏极和浮栅晶体管的源极相通，所述选择晶体管的栅极连接字线，所述浮栅晶体管的漏极连接位线。所述选择晶体管用于在编程时选择相应的浮栅晶体管。

目前，OTP器件的制作过程可与CMOS逻辑工艺(logic process)结合，从而不需要额外的掩膜层。对于将CMOS晶体管和用于存储电荷的浮栅(Floating Gate，FG)结合而形成的OTP器件也称为嵌入式OTP器件。但是，现有的0.18μm的嵌入式OTP器件，即通过与0.18μm的CMOS逻辑工艺结合而形成的OTP器件，其在使用过程中经常出现漏电流增加的问题，从而大大缩短了OTP器件的使用寿命。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种OTP器件制造方法，该方法能有效地减小漏电流增加的问题，从而提高OTP器件的使用寿命。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种OTP器件制造方法，该方法包括：

提供基底，所述基底上包括选择栅和浮栅；

通过预沉积和主沉积两个工艺过程在所述浮栅上形成硅化金属阻挡层；其中，所述预沉积工艺过程用于稳定腔体工艺状态，所述主沉积工艺过程用于增加形成硅化金属阻挡层的厚度。

优选的，上述OTP器件制造方法中，所述预沉积工艺过程中的工艺参数为：硅烷的流量为105～125sccm，一氧化二氮的流量为2000sccm，腔体压力为2700mTorr，腔体温度为400℃，射频功率为270W，沉积时间为11～12s。

优选的，上述OTP器件制造方法中，所述预淀积工艺过程中的工艺参数为：硅烷的流量为115sccm，沉积时间为11.6s。

优选的，上述OTP器件制造方法中，所述主沉积工艺过程中的工艺参数为：硅烷的流量为55～65sccm，一氧化二氮的流量为1200sccm，腔体压力2800mTorr，腔体温度为400℃，射频功率为250W，沉积时间为32～33s。

优选的，上述OTP器件制造方法中，所述主淀积工艺过程中的工艺参数为：硅烷的流量为60sccm，沉积时间为32.8s。

优选的，上述OTP器件制造方法中，在所述浮栅上形成硅化金属阻挡层的厚度为

优选的，上述OTP器件制造方法中，在所述浮栅上形成硅化金属阻挡层的厚度为

优选的，上述OTP器件制造方法中，提供基底，所述基底上包括选择栅和浮栅，具体包括：

提供基底；

在所述基底上形成有源区；

在所述基底的有源区上形成选择栅和浮栅；

在所述基底的有源区内形成源极和漏极。

优选的，上述OTP器件制造方法中，在所述基底的有源区上形成选择栅和浮栅，具体包括：

在所述基底的有源区内形成阱区；

在所述阱区上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成选择栅和浮栅。

优选的，上述OTP器件制造方法中，在所述基底的有源区内形成的阱区为N型阱区或P型阱区。

从上述技术方案可以看出，本发明所提供的OTP器件制造方法中，所述硅化金属阻挡层通过预沉积和主沉积两个工艺过程来形成，其中，所述预沉积工艺过程用于稳定腔体工艺状态，所述主沉积工艺过程用于增加形成硅化金属阻挡层的厚度，较厚的硅化金属阻挡层能很好地避免后续工艺中因等离子轰击而造成的缺陷增加，进而在OTP器件被编程后，能有效地保护浮栅当中的电荷不被泄露出去，改善了OTP器件的数据存储特性，提高了使用寿命。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的一种OTP器件制造方法的流程示意图；

图2为本发明实施例所提供的另一种OTP器件制造方法的流程示意图；