[发明专利]沟槽MOSFET器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010593571.2 | 申请日： | 2010-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN102569384A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王加坤 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 mosfet 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种沟槽MOSFET器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层；
位于所述外延层中的第一沟槽和接触孔；其中，所述第一沟槽为梳状沟槽。
2.根据权利要求1所述的沟槽MOSFET器件，其特征在于，还包括：位于所述外延层中与所述第一沟槽相连通的第二沟槽。
3.根据权利要求1所述的沟槽MOSFET器件，其特征在于，还包括：位于所述外延层中与所述第一沟槽成对称结构的第三沟槽。
4.根据权利要求2所述的沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述第二沟槽为方形、六角形或圆形沟槽。
5.根据权利要求1～4任一项所述的沟槽MOSFET器件，其特征在于，还包括：
位于所述外延层上的介质层；
位于所述介质层上的金属层。
6.根据权利要求5所述的沟槽MOSFET器件，其特征在于，所述接触孔穿过所述介质层与所述金属层相连。
7.根据权利要求1～4任一项所述的沟槽MOSFET器件，其特征在于，还包括：位于所述本体层下表面的漏极。
8.一种沟槽MOSFET器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括本体层和所述本体层之上的外延层；
在所述外延层中形成具有梳状结构的第一沟槽。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：
在所述外延层上形成介质层；
在所述介质层中形成接触孔，且所述接触孔的底部伸入到所述外延层中；
在所述介质层上形成金属层。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：在所述外延层中形成与所述第一沟槽相连通的第二沟槽；其中，所述第二沟槽的形状为方形、圆形或六角形。
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