[发明专利]加热控制方法、装置和系统、以及PECVD设备

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种加热控制方法、装置和系统、以及PECVD设备。

背景技术

温度是半导体器件制造过程中一项重要的工艺参数，直接影响着半导体器件的性能，因此，在半导体器件的制造过程中，需要对工艺温度进行严格控制，使工艺温度处于特定的温度点或温度范围内，以保证半导体器件的性能。

以晶硅太阳能电池为例，在晶硅太阳能电池的制造过程中，通常需要等离子体增强化学气相沉积(PECVD，Plasma-Enhanced ChemicalVapor Deposition)技术进行薄膜的沉积。其中，为了保证高效率和高产量，PECVD设备多采用图1所示的In-line(线型)结构，工艺过程中，在装片台6处，将基片4放置于载板5上，然后将载板5搬运到预热腔1中，在预热腔1进行预热处理，加热载板5和基片4，使基片4达到预先设定的工艺温度；然后，将载板5搬运到工艺腔2中，进行沉积工艺；沉积工艺完成后将载板5搬运到冷却腔3中进行冷却处理。冷却完成后，载板5上的基片4将被取走，载板5将返回至装片台6，以进行下一次的工艺过程。

其中，在预热腔1中进行的预热处理采用的加热控制方法包括：使用位于载板5底部的加热器对载板5进行加热，当加热器达到预先设定的工艺温度并稳定后，等待固定的时间以使加热器和载板5的温度平衡，使载板5以及其上的基片4达到预先设定的工艺温度后停止加热。

然而，工业生产中，In-line式PECVD设备是长期运行的，载板5也是循环使用的，因此，每次在预热腔1进行预热处理时，相同的载板5在进行预热处理前的温度是不同的，而是逐渐升高的，另外，不同的载板5的温度也略有差异。因此，现有的预热处理中所采用的加热控制方法，无论载板5的温度如何，为了使加热器和载板5的温度平衡，等待的时间是固定的，这样，不仅影响了加热的速度，降低了生产效率，同时还造成了电能的浪费。

发明内容

本发明的实施例的主要目的在于，提供一种加热控制方法、装置和系统、以及PECVD设备，能够有效减少加热时间，提高生产效率。

一方面，本发明的实施例提供一种加热控制方法，包括：

获取被加热物的当前温度；

启动加热器对所述被加热物进行加热；

检测所述加热器的温度是否达到预先设定的目标温度；

当检测到所述加热器的温度达到所述目标温度后，控制所述加热器的温度持续稳定在所述目标温度一特定时间，其中，所述特定时间根据所述被加热物的当前温度和所述预先设定的目标温度所确定，且所述特定时间随着所述被加热物的当前温度的升高而逐渐减小；

关闭所述加热器，以结束加热。

另一方面，本发明的实施例提供一种加热控制装置，包括：

获取单元，用于获取被加热物的当前温度；

启动单元，用于启动加热器以对所述被加热物进行加热；

检测单元，用于检测所述加热器的温度是否达到预先设定的目标温度；

控温单元，用于当所述检测单元检测到所述加热器的温度达到所述目标温度后，控制所述加热器的温度持续稳定在所述目标温度一特定时间，其中，所述特定时间根据所述被加热物的当前温度和所述预先设定的目标温度所确定，且所述特定时间随着所述被加热物的当前温度的升高而逐渐减小；

关闭单元，用于关闭所述加热器，以结束加热。

再一方面，本发明的实施例提供一种加热控制系统，包括加热器和本发明实施例提供的加热控制装置，所述加热器与所述加热控制装置相连接，其中：

所述加热控制装置用于获取被加热物的当前温度；启动加热器对所述被加热物进行加热；检测所述加热器的温度是否达到预先设定的目标温度；当检测到所述加热器的温度达到所述目标温度后，控制所述加热器的温度持续稳定在所述目标温度一特定时间，其中，所述特定时间根据所述被加热物的当前温度和所述预先设定的目标温度所确定，且所述特定时间随着所述被加热物的当前温度的升高而逐渐减小；关闭所述加热器，以结束加热；

所述加热器用于受所述加热控制装置的控制对被加热物进行加热，并在达到所述目标温度后，在该目标温度持续稳定加热一所述特定时间。

再一方面，本发明实施例提供一种PECVD设备，包括预热腔室，所述预热腔室包括本发明实施例提供的加热控制系统，用于对载板进行加热。