[发明专利]加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用的方法

权利要求书

1.一种加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用的方法，其特征在于，采用中音频高压加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用。

2.根据权利要求1所述的加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用的方法，其特征在于，所述硅晶片的直径为300mm，所述硅晶片下面的陶瓷圆片的厚度为1至6mm，所述中音频高压为0.6KV～2.0KV。

3.根据权利要求2所述的加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用的方法，其特征在于，所述中音频高压由5KHz～10KHz的中音频升压而成。

4.根据权利要求1所述的加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用的方法，其特征在于，所述半导体加工硅晶片使用的大功率等离子体发生器的输出功率逐步快速降低，直至为零。

5.根据权利要求4所述的加快半导体加工硅晶片消除静电吸附作用的方法，其特征在于，所述输出功率快速地分成3～5个按10～50毫秒为计较单位的台阶组合递减输出功率，直至所述输出功率快速缩减为满负荷输出功率的10％之后，才由这个台阶缩减为零。