[发明专利]一种薄膜太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：制备衬底，在所述衬底上形成薄膜电池层，在所述薄膜电池层上制备石墨烯过渡层，在所述石墨烯过渡层上形成背金属电极。

2.根据权利要求1所述的薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，所述薄膜电池层为碲化镉薄膜层，层叠的硫化镉和碲化镉薄膜层，或层叠的高阻本征层、硫化镉和碲化镉薄膜层，其中所述背金属电极形成在所述碲化镉薄膜层上。

3.根据权利1或2所述的薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，制备所述石墨烯过渡层进一步包括制备石墨烯，以及通过高温转移法将所制备的石墨烯转移到所述薄膜电池层上形成石墨烯过渡层。

4.根据权利3所述的薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，通过化学气相沉积法、氧化减薄石墨片法、撕胶带法、碳化硅表面外延法、金属表面生长法来制备石墨烯。

5.根据权利1或2所述的薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，所述石墨烯过渡层为单层石墨烯或多层石墨烯。

6.根据权利要求1或2所述的薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，所述背金属电极的材料为Au、Ag、Al、Ni、Mo中的任意一种或任意多种所形成的合金。

7.根据权利要求1所述薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，所述衬底为导电薄膜玻璃。

8.一种根据权利要求1所述的薄膜太阳电池制备方法制成的薄膜太阳电池，包括衬底、依次形成在衬底上的薄膜电池层以及背金属电极，其特征在于，所述薄膜电池层与所述背金属电极之间为石墨烯过渡层。

9.根据权利要求8所述的薄膜太阳电池，其特征在于，所述石墨烯过渡层为单层石墨烯或多层石墨烯。

10.根据权利要求8或9所述的薄膜太阳电池，其特征在于，所述薄膜电池层为碲化镉薄膜层、层叠的硫化镉和碲化镉薄膜层、或层叠的高阻本征层、硫化镉和碲化镉薄膜层，其中所述背金属电极形成在所述碲化镉薄膜层上。

11.根据权利要求8或9所述的薄膜太阳电池，其特征在于，所述背金属电极的材料为Au、Ag、Al、Ni、Mo中的任意一种或任意多种所形成的合金。

12.根据权利要求8或9所述的薄膜太阳电池，其特征在于，所述衬底为导电薄膜玻璃。