[发明专利]一种大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法无效

专利信息
申请号: 201010589409.3 申请日: 2010-12-15
公开(公告)号: CN102079523A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 黄新明;刘付冠;尹长浩;温志辉 申请(专利权)人: 东海晶澳太阳能科技有限公司
主分类号: C01B33/037 分类号: C01B33/037
代理公司: 广州知友专利商标代理有限公司 44104 代理人: 李海波
地址: 222300 江苏省连*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 颗粒 冶金 金属 杂质 去除 方法
【权利要求书】:

1.一种大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法,其特征是:选取冶金硅料,在反应气氛中通过高温处理使金属杂质扩散到硅料颗粒的表面或晶界处,然后再通过酸浸将扩散到硅料颗粒表面或晶界处的金属杂质除去即可。

2.根据权利要求1所述的大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法,其特征是包含以下步骤:

(1)选取冶金硅料进行预处理;

(2)调节反应气氛和压力,将预处理后的冶金硅料采用高温处理使金属杂质扩散到硅料颗粒的表面或晶界处;

(3)采用酸浸将扩散到硅料颗粒表面或晶界处的金属杂质除去后烘干;

(4)测硅料中金属杂质的含量,将不符合要求的硅料再次重复高温处理和酸浸步骤至硅料中金属杂质含量满足要求。

3.根据权利要求2所述的大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法,其特征是:步骤(1)中所述的冶金硅料的粒度为20-50目。

4.根据权利要求2所述的大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法,其特征是:步骤(1)中所述的预处理包括表面清洗、粉碎和筛选,所述的表面清洗为先采用HNO3和HF的混合酸对硅料清洗1-2min,然后将硅料采用电阻率大于7MΩ·cm的去离子水进行超声波清洗10-20min,去除硅料表面的杂物,其中混合酸中HNO3的摩尔分数为15-50%,HF酸的摩尔分数为1-5%。

5.根据权利要求2所述的大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法,其特征是:步骤(2)中的反应气氛为氢气、氩气和氮气中的一种或几种。

6.根据权利要求2所述的大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法,其特征是:步骤(2)中的反应压力为1-100kPa。

7.根据权利要求2所述的大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法,其特征是:步骤(2)中所述的高温处理为先升温至800-1400℃再保温2-20h后自然冷却。

8.根据权利要求2所述的大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法,其特征是:步骤(3)中所述的酸浸中采用的酸为HF、HCl和HNO3的混合酸。

9.根据权利要求8所述的大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法,其特征是:所述的混合酸中HF的摩尔分数为10-60%,HCl的摩尔分数为4-20%,HNO3的摩尔分数为0-5%。

10.根据权利要求2所述的大颗粒冶金硅料金属杂质的去除方法,其特征是:步骤(3)中酸浸处理时硅料和酸的重量比为1∶1-5,酸浸时间为10-72h。

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