[发明专利]等离子体处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置，详细地说是涉及等离子体处理装置的可以进行温度调节的保护板的绝热机构。

背景技术

在FPD(平板显示器：Flat Panel Display)的制造工序中，对于FPD用的玻璃基板进行等离子蚀刻、等离子灰化、等离子成膜等多种等离子体处理。作为进行这样的等离子体处理的装置，已知有平行平板型等离子体处理装置和感应耦合等离子体(ICP：Inductively CoupledPlasma)处理装置等。

在这里，虽然在各种等离子体处理装置中由于等离子体的产生而使温度上升，但是通常因为处理室内壁近旁的等离子体密度低，在处理室内出现温度不均匀分布，由于这个温度不均匀分布，在处理容器的内面发生反应生成物的堆积。特别是在处理大型基板的大型装置中，由于处理容器的热容量大，容器的表面积也大，所以容易放热，因此在处理室内容易产生温度不均匀分布，反应生成物的堆积变多，此外，还有对等离子体处理的面内均一性造成坏影响的忧虑。因此，在等离子体处理装置中设置有让载热体在覆盖处理容器的壁、壁面的部件上流动的流路(被称为载热体流路)，对处理容器的温度进行调节。

关于所述温度调节，例如在专利文献1中公开了在覆盖等离子体处理装置的处理容器壁部设置的由导体构成的内壁板上，具有使温度调节用媒质流动的温调用流路、用于从处理容器外部导入温调用媒质的导入口和用于将温调用媒质排出处理容器外部的排出口的等离子体处理装置。

另外，在专利文献2中公开了在真空容器内壁装备防着板，在该防着板主体上配置用于使温媒流动的温媒管和使冷媒流动的冷媒管，在气体的吸收开始初期使温媒流动对防着板进行加热的真空装置。

专利文献1：日本特开2007-242474号公报

专利文献2：日本特开平9-157832号公报

发明内容

但是，在现有技术的等离子体处理装置的温度调节机构中存在以下问题。首先，在处理室的壁本身设置载热体流路的方法(第一方法)中，处理室的壁为了维持真空状态而采用坚固的结构，由于处理室的壁本身的热容量大，放热容易，存在温度控制较困难的问题。另外，为了调节热容量大、放热容易的处理室的壁本身的温度，存在用于使载热体在载热体流路中流动的设备大型化，导致成本上升的问题。另外，由于载热体流路形成在处理容器壁的一部分，在处理容器的部位产生温度不均匀分布，由该温度不均匀分布导致在处理容器壁产生热应变从而使壁弯曲，开关面发生泄漏，或是回流电路变得不容易正常形成从而使放电变得不稳定。另外，在处理容器的侧壁设置了温度调节机构时，还存在着由热传导使处理容器的底部变高温，在想让下部电极为低温时下部电极的温度控制变得困难的问题。

另外，如专利文献1、2所述，在覆盖处理室的壁面的内壁板和防着板上设置载热体流路的方法(第二方法)，与在处理室的壁本身上设置载热体流路的第一方法相比，由于热容量、放热变小，在温度调节设备能够简单化的同时能够提高温度的控制性。但是，在专利文献1、2的方法中，处理室的壁面与内壁板、防着板之间的存在间隙，存在着在此间隙中等离子体处理生成的反应生成物堆积，和由间隙中残留的空气造成的真空处理的时间变长等问题。另外，还有在内壁板和处理室的壁的间隙发生异常放电(电弧放电(ア一キング))的忧虑。

另外，在专利文献1中，内壁板被由绝缘体构成的固定部件固定在处理室的内壁，由于没有考虑该固定部件的绝热性，内壁板的热通过固定部件向处理室的壁移动，受到热容量大、放热容易的处理容器的影响发生内壁板的温度控制变得困难的问题。

本发明鉴于这些问题点，目的在于提供一种使温度调节设备简易化的同时，能够防止在处理容器内产生附着物、电弧放电的等离子体处理装置。

本发明的等离子体处理装置具有形成处理被处理基板的处理室的处理容器、

设置在所述处理室内的载置所述被处理基板的载置台、

向所述处理室内供给处理气体的处理气体供给装置、

使所述处理室内处于真空状态的排气装置、

在所述处理室内使所述处理气体的等离子体生成的等离子体生成机构、

配置在所述处理容器壁内侧的保护板、

对所述保护板的温度进行调节的温度调节机构和

紧贴安装在所述处理容器的内壁面与所述保护板之间的遮断或抑制这些之间的热传导的绝热部件。