[发明专利]生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于包括如下步骤：

a、在玻璃基板或石英基板上用等离子体增强化学气相沉积的缓冲氧化层；

b、用等离子体增强化学气相沉积或化学气相沉积的非晶硅薄膜层；

c、硅图案化；

d、用等离子体增强化学气相沉积的栅极绝缘层；

e、溅射蒸镀的栅极导电层，然后图案化；

f、离子掺杂处理；

g、蒸镀的Ni金属层；

h、加热，于500～700℃下使非晶硅结晶化和活性化；

i、沉积ILD及形成通孔图案；

j、沉积源/漏金属层及形成数据线图案；

k、钝化绝缘膜沉积及形成通孔图案；

l、沉积ITO薄膜及形成OLED阳极图案；

m、形成像素限定层图案。

2.根据权利要求1所述的生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于：g步骤采用ALD设备蒸镀Ni金属层。

3.根据权利要求1所述的生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法，其特征在于：h步骤于500～700℃下保温1～4h使非晶硅结晶化和活性化。