[发明专利]量子点纳米材料的制备方法及其表面包覆二氧化硅的方法

权利要求书

1.一种量子点纳米材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

(1)制备ZnSe量子点，提纯后溶于正己烷；

(2)取(1)中的ZnSe量子点0.24mmol，加入油胺、十八碳烯，在氩气气氛下，加热到120℃，在此温度下停留5-6分钟，注入MnSt₂/ODE，稳定5-6分钟后升温到270-280℃，停留5-6分钟，注入Se/TBP并在此温度下停留5-6分钟，注入ZnSt₂/ODE，反应20-25分钟，得到量子点纳米材料，其中MnSt₂、Se和ZnSt₂的注入量分别为0.032-0.04mmol、0.48-0.49mmol、0.34-0.425mmol。

2.如权利要求1所述的量子点纳米材料的制备方法，其特征在于步骤(2)中，MnSt₂/ODE的浓度为0.02-0.025M，Se/TBP的浓度为2.4-2.45M，ZnSt₂/ODE的浓度为0.2-0.25M。

3.在权利要求1或2所述制备方法所得量子点纳米材料表面包覆二氧化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将纯化的量子点纳米材料溶于正己烷，用巯基丙酸转水，得到量子点水溶液；

(2)在3-氨丙基三乙氧基硅烷中加入量子点水溶液，搅拌均匀，反应形成溶胶。

4.如权利要求3所述在量子点纳米材料表面包覆二氧化硅的方法，其特征在于，还包括步骤(3)：将LED倒置于步骤(2)所得溶胶中，随着3-氨丙基三乙氧基硅烷的水解固化，LED被封装在二氧化硅中。