[发明专利]一种掩模制具表产生方法无效
| 申请号: | 201010588858.6 | 申请日: | 2010-12-10 |
| 公开(公告)号: | CN102542371A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 陈伸安;陈永初;游政豪;余宗翰 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号: | G06Q10/06 | 分类号: | G06Q10/06 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
| 地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 掩模制具表 产生 方法 | ||
1.一种掩模制具表产生方法,其特征在于,包括:
产生一元件服务需求表,并经由一网络接口输出至一客户端计算机;
经由该网络接口接收一元件服务需求数据,该元件服务需求数据是该客户端计算机响应于该元件服务需求表所产生;以及
根据该元件服务需求数据产生该掩模制具表。
2.根据权利要求1所述的掩模制具表产生方法,其特征在于,于产生该掩模制具表的该步骤是根据该元件服务需求数据执行一仿真程序,以产生最少掩模数的该掩模制具表。
3.根据权利要求1所述的掩模制具表产生方法,其特征在于,该元件服务需求表包括一元件字段,该元件字段包括一标准元件字段及一选择性元件字段,该标准元件字段及该选择性元件字段分别包括多个标准元件选项及多个选择性元件选项。
4.根据权利要求3所述的掩模制具表产生方法,其特征在于,该些标准元件选项包括多个不同工艺的标准元件选项。
5.根据权利要求3所述的掩模制具表产生方法,其特征在于,该些选择性元件选项包括多个不同工艺的选择性元件选项。
6.根据权利要求1所述的掩模制具表产生方法,其特征在于,该元件服务需求表更包括一静电保护字段,该静电保护字段包括一静电保护离子注入选项及一非轻掺杂漏极N晶体管选项。
7.根据权利要求1所述的掩模制具表产生方法,其特征在于,该元件服务需求表更包括一研磨厚度字段。
8.根据权利要求1所述的掩模制具表产生方法,其特征在于,该元件服务需求表更包括一金属厚度字段。
9.根据权利要求1所述的掩模制具表产生方法,其特征在于,该元件服务需求表更包括一特殊需求字段。
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