[发明专利]音频POP音的消除方法及耳机音频电路有效
申请号: | 201010588175.0 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN102572642A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 刘峰;康书峰 | 申请(专利权)人: | 联芯科技有限公司 |
主分类号: | H04R3/00 | 分类号: | H04R3/00 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 卢刚 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 音频 pop 消除 方法 耳机 电路 | ||
1.一种音频POP音的消除方法,其特征在于,包含以下步骤:
在初始化编译码器之前,通过导通与耳机的右声道并联的第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管,对与所述编译码器的右输出端相连的第一隔直电容进行充电;通过导通与耳机的左声道并联的第二MOS管,对与所述编译码器的左输出端相连的第二隔直电容进行充电;
在导通所述第一MOS管和所述第二MOS管后,初始化所述编译码器;
所述初始化完成后延时预定时长T,并在延时所述T后,断开所述第一MOS管和所述第二MOS管;
所述编译码器通过所述右输出端向所述耳机的右声道输出音频信号;通过所述左输出端向所述耳机的左声道输出音频信号。
2.根据权利要求1所述的音频POP音的消除方法,其特征在于,还包含以下步骤:
在关闭所述编译码器之前,通过导通所述第一MOS管,对所述第一隔直电容进行充电;通过导通所述第二MOS管,对所述第二隔直电容进行充电;
在导通所述第一MOS管和所述第二MOS管后,关闭所述编译码器;
在关闭所述编译码器后延时所述T,并在延时所述T后,断开所述第一MOS管和所述第二MOS管。
3.根据权利要求1所述的音频POP音的消除方法,其特征在于,
所述T小于1ms。
4.根据权利要求1所述的音频POP音的消除方法,其特征在于,通过微控制单元MCU的GPIO引脚,向所述第一MOS管和所述第二MOS管的G引脚输出高电平,导通所述第一MOS管和所述第二MOS管;
通过所述MCU的GPIO引脚,向所述第一MOS管和所述第二MOS管的G引脚输出低电平,断开所述第一MOS管和所述第二MOS管。
5.根据权利要求1所述的音频POP音的消除方法,其特征在于,通过比较器的输出端向所述第一MOS管和所述第二MOS管的G引脚输出高电平,导通所述第一MOS管和所述第二MOS管;
通过所述比较器的输出端向所述第一MOS管和所述第二MOS管的G引脚输出低电平,断开所述第一MOS管和所述第二MOS管。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的音频POP音的消除方法,其特征在于,所述耳机为以下任一终端产品中的耳机:
手机、MP3、MP4。
7.一种耳机音频电路,包含编译码器、与所述编译码器的右输出端相连的第一隔直电容、与所述编译码器的左输出端相连的第二隔直电容、耳机,其特征在于,还包含:第一金属氧化物半导体场效应晶体管MOS管和第二MOS管;
所述编译码器的右输出端输出的音频信号,输出到所述第一隔直电容,经所述第一隔直电容输出后分为两路信号,其中一路信号输出到所述耳机的右声道,另外一路信号经所述第一MOS管到地;
所述编译码器的左输出端输出的音频信号,输出到所述第二直电容,经所述第二隔直电容输出后分为两路信号,其中一路信号输出到所述耳机的左声道,另外一路信号经所述第二MOS管到地;
所述第一MOS管用于在初始化编译码器之前,通过导通状态对所述第一隔直电容进行充电,并在完成所述编译码器的初始化的预定时长T后,处于断开状态;
所述第二MOS管用于在初始化编译码器之前,通过导通状态对所述第二隔直电容进行充电,并在完成所述编译码器的初始化的所述预定时长T后,处于断开状态。
8.根据权利要求7所述的耳机音频电路,其特征在于,
所述第一MOS管还用于在关闭所述编译码器之前,通过导通状态对所述第一隔直电容进行充电,并在完成所述编译码器的关闭的所述预定时长T后,处于断开状态;
所述第二MOS管还用于在关闭所述编译码器之前,通过导通状态对所述第二隔直电容进行充电,并在完成所述编译码器的关闭的所述预定时长T后,处于断开状态。
9.根据权利要求7所述的耳机音频电路,其特征在于,
所述T小于1ms。
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