[发明专利]固体摄像装置、相机、成像器件、电子装置、驱动方法及制造方法有效
申请号: | 201010586888.3 | 申请日: | 2010-12-14 |
公开(公告)号: | CN102157531A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 马渕圭司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 相机 成像 器件 电子 驱动 方法 制造 | ||
1.一种固体摄像装置,其包括像素单元和驱动单元,所述像素单元包括由用于将光转换为电信号的像素组成的矩阵,所述驱动单元用于驱动所述像素单元,
其中各个所述像素都包括:
光电转换膜,它用于进行光电转换;
注入单元,它用于将由所述光电转换膜产生的电荷注入至半导体基板中;
累积单元,它被布置于所述半导体基板中且用于累积由所述光电转换膜产生的电荷;以及
势垒单元,它用于提供所述光电转换膜与所述累积单元之间的电位势垒,
并且所述像素单元被设置成选择性地将电荷注入至所述像素的所述注入单元中。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置,还包括:放电晶体管,所述放电晶体管的源极连接至所述注入单元,
其中所述驱动单元控制所述放电晶体管的漏极电压,使得将电荷注入至所述注入单元中。
3.根据权利要求2所述的固体摄像装置,还包括:复位晶体管,所述复位晶体管连接于所述累积单元且连接于电位配线,并且所述复位晶体管用于将所述累积单元中的电荷复位,
其中所述驱动单元是在将电荷注入至所述注入单元中之后将所述累积单元中的电荷复位。
4.根据权利要求2所述的固体摄像装置,还包括:复位晶体管,所述复位晶体管连接于所述累积单元且连接于电位配线,并且所述复位晶体管用于将所述累积单元中的电荷复位,
其中所述驱动单元是通过所述注入单元将电荷从所述放电晶体管的漏极注入至所述累积单元中,并且
在所述注入之后,将所述累积单元中的电荷复位。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置,还包括:复位晶体管,所述复位晶体管连接于所述累积单元且连接于电位配线,并且所述复位晶体管用于将所述累积单元中的电荷复位,
其中所述驱动单元通过所述累积单元将电荷从所述复位晶体管的电位配线侧注入至所述注入单元中。
6.根据权利要求5所述的固体摄像装置,其中所述驱动单元是在将电荷注入至所述注入单元中之后将所述累积单元中的电荷复位。
7.一种用于驱动固体摄像装置的方法,所述固体摄像装置包括像素单元和驱动单元,所述像素单元包括由用于将光转换为电信号的像素组成的矩阵,所述驱动单元用于驱动所述像素单元,
其中各个所述像素都包括:光电转换膜,它用于进行光电转换;注入单元,它用于将由所述光电转换膜产生的电荷注入至半导体基板中;累积单元,它被布置于所述半导体基板中且用于累积由所述光电转换膜产生的电荷;以及势垒单元,它用于提供所述光电转换膜与所述累积单元之间的电位势垒,
并且所述像素单元被设置成选择性地将电荷注入至所述像素的所述注入单元中,
所述方法包括如下步骤:选择性地将电荷注入至各个所述像素的所述注入单元中。
8.根据权利要求7所述的用于驱动固体摄像装置的方法,还包括如下步骤:将放电晶体管的源极连接至所述注入单元,并通过控制所述放电晶体管的漏极电压来将电荷注入至所述注入单元中。
9.根据权利要求8所述的用于驱动固体摄像装置的方法,还包括如下步骤:在将电荷注入至所述注入单元中之后,通过连接于所述累积单元且连接于电位配线的复位晶体管来将所述累积单元中的电荷复位。
10.根据权利要求8所述的用于驱动固体摄像装置的方法,还包括如下步骤:在通过所述注入单元将电荷从所述放电晶体管的漏极注入至所述累积单元中之后,通过连接于所述累积单元且连接于电位配线的复位晶体管来将所述累积单元中的电荷复位。
11.根据权利要求7所述的用于驱动固体摄像装置的方法,还包括如下步骤:通过所述累积单元,将电荷从连接于所述累积单元且连接于电位配线的复位晶体管的电位配线侧注入至所述注入单元中。
12.根据权利要求11所述的用于驱动固体摄像装置的方法,还包括如下步骤:在将电荷注入至所述注入单元中之后,将所述累积单元中的电荷复位。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的