[发明专利]一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法

权利要求书

1.一种生长SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：

(1)、丝网印刷：将丝网覆盖在籽晶托或籽晶上，将粘结剂均匀涂刷在丝网覆盖的籽晶托或丝网覆盖的籽晶上，然后将丝网与籽晶托和籽晶分离，得到刷有粘结剂的籽晶托或刷有粘结剂的籽晶；

(2)、籽晶粘结：将未涂刷粘结剂的籽晶紧密粘结在步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶托上，或者将步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶紧密粘结在未涂刷粘结剂的籽晶托上，或者将步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶紧密粘结在步骤(1)所得的刷有粘结剂的籽晶托上；其中，所述粘结剂位于籽晶与籽晶托之间，且籽晶与籽晶托之间的间隙均匀；

(3)、将粘结籽晶和籽晶托的粘结剂进行固化处理，其中，固化后的粘结剂层的厚度为7-100μm。

2.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(1)中，所述丝网的目数选自20目、40目、60目、80目、100目或120目。

3.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(1)中，所述丝网的材料选自涤纶、尼龙、聚丙烯或不锈钢丝。

4.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(1)中，所述丝网的丝径为Φ0.02mm～Φ0.2mm。

5.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(1)中，所述粘结剂选自食用白糖、AB胶或502胶。

6.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(3)中，所述粘结剂的固化温度为120-800℃，固化时间为2-12h。

7.如权利要求1所述的生长SiC晶体的籽晶粘结方法，其特征在于，步骤(3)中，所述固化后的粘结剂层的厚度为7-30μm。