[发明专利]用于提供具有改进的读取传感器的磁式变换器的方法和系统

说明书

技术领域

背景技术

图1示出了常规的磁式变换器10例如常规的读取变换器或其它装置的一部分。常规的变换器10位于常规的基底11例如AlTiC基底上。常规的变换器10包括常规的底部护罩12、常规的传感器20和常规的顶部护罩40。变换器10通常还包括在常规的AFM层22与常规的护罩12之间的一个或多个种子层(未示出)。常规的护罩12和40通常包括NiFe并且是通过电镀形成的。传感器20在电流垂直于平面(CPP)的结构中被示出。在CPP结构中，读取电流通常被驱动为沿着所示的z轴垂直于装置的各层的平面。

常规的传感器20包括常规的反铁磁介质(AFM)层22、常规的合成反铁磁介质(SAF)24、常规的阻挡层32和常规的自由层34，并且可包括常规的覆盖层36。-常规的自由层34具有响应于施加的磁场例如来自于正在读取的位的磁场基本上自由改变方向的磁化。常规的阻挡层32可允许传导经由隧道效应通过传感器20。因此，传感器20是穿隧磁阻(TMR)传感器。注意，如果传导的分隔层被用来代替阻挡层32，那么传感器20是自旋阀。常规的SAF层24通常包括由非磁性分隔层28分离的两个铁磁性层26和30。铁磁性层通常被反铁磁地耦合。常规的SAF层24的一个或多个磁化是通过常规的AFM层22被钉扎或固定。更具体地，通常被称作被钉扎层或被固定层的第一铁磁性层26具有通过常规的AFM层22被钉扎的磁化，例如，经由交换相互作用。其余的铁磁性层或参考层30使自己的磁化被钉扎，这是因为它被强磁性地耦合于被钉扎层26。常规的被钉扎层26通常是由例如Co₉₀Fe₁₀组成的单层。其它常规的被钉扎层26可由Co₇₅Fe₂₅组成。

尽管常规的传感器20可以起作用，但是常规的变换器10可具有有限的效用。例如，当在CPP结构中使用常规的读取传感器20时，在常规的读取传感器20中可能出现基线爆音(BLP)和/或基线噪声(BLN)。BLP是指高于噪声基线的时域随机噪声尖峰。BLN是指高的整体噪声基线。BLP和BLN都具有通常从KHz到GHz的大的频率带宽。BLP和BLN的存在不利地影响常规的变换器10的信噪比，并且因此不利地影响常规的变换器10的性能。BLP和BLN也可能是常规的传感器20的硬盘驱动应用中的主要失效模式。因为BLN和BLP可能是失效模式，因此它们还可能不利地影响常规的传感器20的可靠性。因此，常规的变换器10的使用可能具有缺陷。

因此，需要一种用于提供具有改进性能的变换器的系统和方法。

发明内容

本发明描述一种用于提供磁式变换器中的磁结构的方法和系统。该方法和系统包括提供钉扎层或固定层、与钉扎层相邻的合成反铁磁介质(SAF)、非磁性层和传感器层。SAF位于非磁性层与钉扎层之间。非磁性层在SAF与传感器层之间。SAF包括被钉扎层、参考层和在被钉扎层与参考层之间的非磁性分隔层。被钉扎层被磁性地耦合于参考层并且包括多个子层。多个子层中的第一子层具有第一截止温度分布T_BD和第一交换能量。多个子层中的第二子层具有第二T_BD和第二交换能量。第一子层在钉扎层与第二子层之间。第一T_BD大于第二T_BD，而第一交换能量小于第二交换能量。

附图说明

图1是包括常规传感器的常规变换器的一部分的示意图；

图2示出了具有包括磁结构的示例性实施例的变换器的磁头的示例性实施例；

图3示出了包括磁结构的示例性实施例的变换器的一部分的示例性实施例；

图4示出了包括磁结构的示例性实施例的变换器的一部分的另一个示例性实施例；

图5示出了包括磁结构的示例性实施例的变换器的一部分的另一个示例性实施例；以及

图6示出了形成包括磁结构的示例性实施例的变换器的一部分的方法的示例性实施例。

具体实施例