[发明专利]一种用于3D封装TSV硅抛光的化学机械抛光液无效
| 申请号： | 201010584925.7 | 申请日： | 2010-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102533117A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 徐春 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区龙*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 封装 tsv 抛光 化学 机械抛光 | ||
1.一种用于3D封装TSV硅抛光的化学机械抛光液，其特征在于，包括水、研磨颗粒、一种或多种强碱；所述强碱在所述抛光液中的质量浓度为2~50wt%。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述强碱为氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂、氢氧化铯、四甲基氢氧化胺、四乙基氢氧化胺、四丙基氢氧化胺、氨水、羟胺、乙二胺、乙醇胺，三乙醇胺中的一种或多种混合物。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述研磨颗粒为氧化硅、氧化铝、氧化铈或聚合物颗粒中的一种或多种。
4.根据权利要求3所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述聚合物颗粒为聚乙烯、聚四氟乙烯、或其混合物。
5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述研磨颗粒的直径为20~200nm。
6.根据权利要求5所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述研磨颗粒的直径为30~100nm。
7.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，还包括表面活性剂、稳定剂、抑制剂、杀菌剂或pH值调节剂。
8.根据权利要求7所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述pH值调节剂为氢氧化钾溶液或硝酸。
9.根据权利要求8所述的化学机械抛光液，其特征在于，所述氢氧化钾溶液的浓度为5~40wt%。
10.一种如权利要求1所述的化学机械抛光液在3D封装TSV硅抛光中的应用，其特征在于，将机台、以及包括研磨颗粒和2~50wt%浓度强碱的抛光液加热，并将温度控制在60~90℃范围内进行抛光。
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