[发明专利]发光器件、发光器件封装以及照明系统

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

第一导电类型半导体层；

在所述第一导电类型半导体层上的包括多个阱层和多个势垒层的有源层；以及

在所述有源层上的第二导电类型半导体层，

其中在所述势垒层中的至少第一势垒层的上表面包括不平坦表面，并且所述第一势垒层被布置为比离所述第一导电类型半导体层更接近所述第二导电类型半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一势垒层被布置在所述有源层的最上边部分处。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述不平坦表面的凹部的深度处于大约至大约的范围内。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述有源层的第一势垒层的厚度比其它势垒层的厚度厚并且比所述不平坦表面的凹部的深度大。

5.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述有源层的第一势垒层的厚度比其它势垒层的厚度厚至少

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一势垒层的上表面的面积大于所述有源层的其它势垒层的面积。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述第一导电类型半导体层包括N型掺杂物并且所述第二导电类型半导体层包括P型掺杂物，其中被包括在所述第一导电类型半导体层中的N型掺杂物的浓度高于被包括在所述第二导电类型半导体层中的P型掺杂物的浓度。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一势垒层的不平坦表面包括具有平坦部分的凹部。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中在所述第一势垒层的不平坦表面当中的平坦部分的凹部包括高度低于所述不平坦表面的峰值高度的多个不平坦图案。

10.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述有源层包括具有Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体，并且所述第二导电类型半导体层包括包含P型掺杂物的第一半导体层和第二半导体层，其中所述第一半导体层形成为与所述第一势垒层的不平坦表面相对应的不平坦层。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述第一半导体层的掺杂物浓度高于所述第二半导体层的掺杂物浓度。

12.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述第一势垒层的不平坦表面的面积比所述有源层中的其它势垒层的上表面的面积大超过大约50％。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中在所述有源层和所述第一导电类型半导体层之间的接触界面的面积小于在所述有源层和所述第二导电类型半导体层之间的接触界面的面积。

14.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一势垒层包括铟，并且所述不平坦表面包括三维形状。

15.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述第一导电类型半导体层是N型半导体层，并且所述第二导电类型半导体层包括P型半导体层。