[发明专利]光刻设备和器件制造方法

权利要求书

1.一种浸没式光刻设备，包括：

流体处理系统，配置成将浸没液体限制到投影系统的最终元件和衬底和/或台之间的局部空间；和

气体供给装置，配置成供给气体至邻近所述空间的区域，所述气体在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中具有大于5×10^-3mol/kg的溶解度。

2.如权利要求1所述的浸没式光刻设备，其中所述气体供给装置包括气源，其在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中具有大于5×10^-3mol/kg的溶解度。

3.一种浸没式光刻设备，包括：

流体处理系统，配置成将浸没液体限制到投影系统的最终元件和衬底和/或台之间的局部空间；和

气体供给装置，配置成供给气体至邻近所述空间的区域，所述气体在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中具有大于3×10^-5cm²s^-1的扩散系数。

4.如权利要求3所述的浸没式光刻设备，其中所述气体供给装置包括气源，其在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中具有大于8×10^-5cm²s^-1的扩散系数。

5.一种浸没式光刻设备，包括：

流体处理系统，配置成将浸没液体限制到投影系统的最终元件和衬底和/或台之间的局部空间；和

气体供给装置，配置成供给气体至邻近所述空间的区域，所述气体在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中的扩散系数和溶解度的乘积大于空气在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中的扩散系数和溶解度的乘积。

6.如权利要求5所述的浸没式光刻设备，其中所述气体供给装置包括气源，其在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中的扩散系数和溶解度的乘积大于2×10^-8cm²s^-1mol kg^-1。

7.如权利要求1-6中任一项所述的浸没式光刻设备，其中所述气源是二氧化碳的源。

8.如权利要求1-7中任一项所述的浸没式光刻设备，其中所述气体供给装置配置成供给气体以用气体填充浸没式光刻设备的曝光区域。

9.如权利要求8所述的浸没光刻设备，其中所述流体处理系统包括液体限制结构。

10.一种器件制造方法，包括下列步骤：

将图案化辐射束投影通过限制到投影系统的最终元件和衬底之间的局部空间的浸没液体；和

提供气体至邻近所述空间的区域，所述气体在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中具有大于5×10^-3mol/kg的溶解度。

11.一种器件制造方法，包括下列步骤：

将图案化辐射束投影通过限制到投影系统的最终元件和衬底之间的局部空间的浸没液体；和

提供气体至邻近所述空间的区域，所述气体在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中具有大于3×10^-5cm²s^-1的扩散系数。

12.一种器件制造方法，包括下列步骤：

将图案化辐射束投影通过限制到投影系统的最终元件和衬底之间的局部空间的浸没液体；和

提供气体至邻近所述空间的区域，所述气体在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中的扩散系数和溶解度的乘积大于空气在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中的扩散系数和溶解度的乘积。

13.一种用于浸没式光刻设备的流体处理系统，所述流体处理系统配置成将浸没液体限制到投影系统的最终元件和衬底和/或台之间的局部空间，并且包括气体供给装置，所述气体供给装置配置成供给气体至邻近所述空间的区域，所述气体在20℃和1atm总压力的情况下在浸没液体中具有大于5×10^-3mol/kg的溶解度。